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第34 卷 第2期 电 子 器 件 Vol.34摇 No.2
2011年4 月 ChineseJournal of Electron Devices Apr.2011
Fabrication and Properties of High Brightness Field
Emission Fluorescence Lamp*
ZHENGXudan,HULiqin,GUO Tailiang*
(College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou350002,China)
Abstract:A novel cylindrical geometry carbon nanotubes(CNT)field emission fluorescence lamp(FEFL)was
designed.The CNT paste was transferedtothe surfaceof thenickelwireby thermal coatingmethod,andtheindium
tin oxide(ITO)thin film wasfabricated in the cylinder glass pipe by sol鄄gel.The cylinder glass pipe with ITO film
and phosphor was used as anode.The FEFL showed superior properties,such as low turn鄄on electric field of 0.15
2
V/ 滋m,high brightness of 19 800 cd/ m at the voltage 4 000 V,and large field enhancement factor of 1967.The
FEFL is a very promising candidate as back light source.
Key words:field emission fluorescence lamp;linear cathode;field enhancement factor;high brightness;CNT
EEACC:8530B摇 摇 摇 摇 doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2011.02.008
高亮度场发射荧光灯的制备及其性能测试*
郑旭丹,胡利勤,郭太良*
(福州大学物理与信息工程学院,福州,350002)
摘摇 要:利用圆柱形结构的增强效应能提高丝状阴极场发射性能的这个特性,设计了场发射荧光灯。 采用热敷法将配制好
的碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)浆料转移到镍丝(Ni)表面制备成丝状阴极,以及溶胶-凝胶法在圆柱形玻璃管内壁制备
掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜作为阳极,制作场发射荧光灯。 测试结果表明,该碳纳米管场发射荧光灯具有良好的
场发射性能,开启电场低,仅为0.15 V/ 滋m;CNT 的场增强因子 茁 为 1967;当驱动电压为4 000 V 时,发光亮度达 19 800
CNT
2
cd/ m 。 这种亮度高、稳定性好、成本低的场发射荧光灯在照明光源领域具有很大的应用前景。
关键词:场发射荧光灯;丝状阴极;场增强因子;高亮度;碳纳米管
中图分类号:TM923.33摇 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 摇 文章编号:1005-9490(2011)02-0150-04
摇 摇 照明光源的种类很多,主要可分为热辐射光源、气 为5 000 V 时,
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