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电力电子技术
浙江大学电气工程学院
江道灼 教授
办公地点:动模实验楼(电机工程楼南侧二层楼)
电力电子技术
第一章 功率半导体器件
第二章 功率半导体器件的驱动和保护
第三章 交流-直流 (AC-DC)变换
第四章 直流-直流 (DC-DC)变换
第五章 直流-交流 (DC-AC)变换
第六章 交流-交流 (AC-AC)变换
第七章 谐振软开关技术
第八章 电力电子在电气工程中的应用
功率半导体器件
1.1 概述
1.2 大功率二极管
1.3 晶闸管
1.4 大功率晶体管
1.5 功率场效应晶体管
1.6 绝缘栅双极性晶体管
1.7 其他新型功率开关器件
概述
功率半导体器件的定义:
基于半导体材料、构成电力电子装置一次电路(主电路)的基本元件
功率半导体器件的工作特点:
a) 工作在开关状态,且通态电阻很小,压降接近于0(等效于短接),
断态电阻很大,漏电流接近于(等效于开断);
b) 工作开关频率较高,存在开关损耗(开通与关断损耗);
c) 工作过程中需承受高电压、大电流。
电力电子装置示意图
概述
理想功率半导体器件:动、静态特性好
通态电流大且管压降极低
断态漏电流极小且能承受高电压
极短的开关转换时间
极小的开关损耗(包括通、断态损耗)
承受du/dt与di/dt能力强等
概述
功率半导体器件的发展
大功率二极管产生于20世纪40年代,目前已形成整流二极管、快恢复二极管、
肖特基二极管等3种主要类型。
20世纪60年代出现了第一代电力电子器件—— 晶闸管及其派生器件,如逆导晶
闸管、双向晶闸管等;
70年代出现了第二代自关断型电力电子器件,如GTO、GTR、P-MOSFET
等;
80年代出现了第三代场控功率半导体器件,如IGBT、IGCT等;
80年代末90年代初开始出现第四代电力电子器件:集成功率半导体器件,如
IPM等。
功率半导体器件的分类
1)按可控性分类: 不可控型、半控型、全控型
2 )按驱动信号分类: 电流驱动型、电压驱动型、光驱动型
大功率二极管
为不可控型功率半导体器件,主要用于不可控整流、
电感性负载回路的续流等。
大功率二级管的结构及符号:
(a)符号 (b)螺旋式结构 (c)平板式结构
(I≤200A ) (I≥200A )
大功率二极管
伏安特性
(a)实际特性 (b)理想特性
大功率二极管
开通、关断特性
(a) 开通特性 (b)关断特性
大功率二极管
主要参数
1.额定正向平均电流(额定电流)IF
2.反向重复峰值电压(额定电压)VRRM
3.反向漏电流IRR
4.正向平均电压V (通态压降)
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