化学气相沉积法的概念.ppt

(5) 履带式常压CVD装置 为了适应集成电路的规模化生产，同时利用硅烷（SiH4）、磷烷（PH3）和氧在400℃时会很快反应生成磷硅玻璃(SiO2·xP2O5复合物)，就设计了如图4.13所示的履带式装置，衬底硅片放在保持400℃的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。用这一装置也可以生长低温氧化硅薄膜等。 图4.13 履带式常压CVD装置 (6) 模块式多室CVD装置 制造集成电路的硅片上往往需要沉积多层薄膜，例如沉积Si3N4和SiO2两层膜或沉积TiN和金属钨薄膜。以往的装置一般为单式批量，即，只有一个反应室，每批处理单片或多片，装卸基片时反应室暴露，大气成分吸附在反应室内壁和室内零部件表面你，将对工艺过程产生不良影响。 为了解决这些问题，多室CVD装置应运而生，这种模块式的沉积反应可以拼装组合，分别在不同的反应室中沉积不同的薄膜，见图4.14。各个反应器之间相互隔离利用机器手在低压或真空中传递衬底硅片。因此可以一次连续完成数种不同的薄膜沉积工作，可以把普通的CVD和PECVD组合在一起，也可以把沉积和干法刻蚀工艺组合在一起。 图4.14 模块式CVD装置 6) 桶罐式CVD反应装置 对于硬质合金刀具的表面涂层常采用这一类装置，见图4.15，气体自上而下流过，它的优点是与合金刀具衬底的形状关系不大，各类刀具都可以同时沉积，而且容器很大，一次就可以装上