梯度氢稀释法制备微晶硅n-i-p太阳电池的研究ViewTableofContents.PDF

梯梯度度氢氢稀稀释释法法制制备备微微晶晶硅硅nn--ii--pp 太太阳阳电电池池的的研研究究 袁育杰, 侯国付, 张 军, 薛俊明, 曹丽冉, 赵颖 and 耿新 Citation: 中国科学E辑: 技术科学 3399, 1058 (2009); doi: 10.1360/ze2009-39-6-1058 View online: /doi/10.1360/ze2009-39-6-1058 View Table of Contents: /publisher/scp/j ournal/Sci Sin Tech E/39/6 Published by the 《中国科学》杂志社 AArrttiicclleess yyoouu mmaayy bbee iinntteerreesstteedd iinn n-i-p 微晶硅太阳电池中p 型掺杂层对其性能的影响 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica 4400, 1410 (2010); 具有集成旁路二极管的晶体硅太阳电池研究 SCIENTIA SINICA Technologica 4422, 282 (2012); 晶体硅太阳电池SiN /A l 背反射性能研究 x SCIENTIA SINICA Technologica 4411, 16 (2011); 外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究 Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 3355, 1300 (2005); 外延晶体硅薄膜太阳电池的器件模拟及性能优化的研究 SCIENTIA SINICA Technologica 4422, 1318 (2012); 中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 6 期 : 1058 ~ 1062 SCIENCE IN CHINA PRESS 梯度氢稀释法制备微晶硅n-i-p太阳电池的研究 * 袁育杰 , 侯国付, 张建军, 薛俊明, 曹丽冉, 赵颖, 耿新华 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 天津 300071 * E-mail: yjyuan@ 收稿日期: 2008-06-24; 接受日期: 2008-09-08 国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(批准号: 2006CB202602, 2006CB202603)和国家科技计划配套项目(批准号: 07QTPTJC29500)资助 摘要 采用高压 RF-PECVD 技术, 研究了恒定氢稀释法和梯度氢稀释法对本征微晶硅薄 关键词 膜纵向结构和n-i-p 微晶硅太阳电池性能的影响. 结果表明, 采用梯度氢稀释法能够调控本征 梯度氢稀释法 微晶硅薄膜的纵向晶化率分布和晶粒尺寸, 使电池性能得到大幅度提高, 获得转换效率为 微晶硅 2 n-i-p 太阳电池 5.7%(V =0.47 V, J =20.2 mA/cm , FF=60%) 的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.12% oc sc 2 ( V =1.2 V, J =12.05 mA/cm , FF=70%) 的叠层太阳电池. oc sc 微晶硅(μc-Si:H)太阳电池是继非晶硅(a-Si:H)太 dilution profiling technique)沉积本征层, 即在本征层 [1,2] 阳电池之后最有竞争力的下一代薄膜光伏电池 . 的沉积