电力电子技术 第二章 功率半导体器件的驱动与保护.pdf

第二章 功率半导体器件的驱动与保护 2.1晶闸管的驱动与保护 2.2电流型自关断器件的驱动 2.3电压型自关断器件的驱动 2.4自关断器件的保护 晶闸管的驱动与保护 晶闸管的触发电路 1、触发脉冲要求 1) 触发信号可以是交流，直流或者脉冲形式 2) 触发脉冲信号应有一定的功率和宽度 3) 为使并联晶闸管元件能同时导通，触发电路应能产生强触发脉冲 4) 触发脉冲的同步及移相范围 5) 隔离输出方式及抗干扰能力 晶闸管的驱动与保护 单结晶体管移相触发电路 一、单结（双基极）晶体管的结构与特征 1、结构 基区电阻Rbb=Rb1+Rb2 ；Rb1随Ie而变化 晶闸管的驱动与保护 2、实验电路 R (1) e极开路: b 1 UA Ubb  Ubb R bb  0.3~0.，为单结晶体管分压比9 (2) e-b1间加Ee： 调节Ee或Re可改变Ue大小， 从而改变等效二极管VD 的工况： a) 0 Ue Ubb 时，VD反偏截止； b) U U U V 时，VD 虽正偏，但小于导通压降V ，故仍截止； bb e bb D D c) U U V 时，VD 正偏导通,P 区空穴不断注入N区，从而导致 e bb D R b1 UA Ubb VD管PN结正偏 Ie (Ue ) R b1 ...正反馈 晶闸管的驱动与保护 Ue 峰点P: I 管子导通最小电流 E P 谷点V: UV维持导通最小发射极电压 Q1 P 空穴过剩   Q3 I R U e b 1 e Re 小 正阻特性，饱和区 B 选η、Iv较大，Uv较小的单结 Re 中 晶体管，使输出脉冲幅值大，调节 Q2 电阻范围大。 Re 大 Ie A IP IV 晶闸管的驱动与保护 二、单结晶体管驰张振荡电路 利用负阻特性及RC充放电电路 R  