金属离子对DNA记忆特性影响的研究毕业.docVIP

LIAOCHENG UNIVERSITY 本科毕业论文 题 目 金属离子对DNA薄膜器件记 忆特性的影响 专 业 物理学 作者姓名 学 号 2012201493 单 位物理科学与信息工程学院 指导教师 教授 2016年5月 教务处编 原创性声明 本人郑重声明：所提交的学位论文是本人在导师指导 下，独立进行研究取得的成果。除文中已经引用的内容外， 论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包 含为获得聊城大学或其他教育机构的学位证书而使用过的 材料。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均在文中 以明确的方式表明。本人承担本声明的相应责任。 学位论文作者签名： 日期: 指导教师签名: 日期： TOC \o 1-5 \h \z 引言 1 1」记忆电阻的提出与发现 1 1.2国内外研究进展与现状 2 1.3记忆电阻的应用前景 3 1.4有机材料的优势 3 1.5 .la F F^J ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????4 HYPERLINK \l bookmark6 \o Current Document \h 本文所用实验仪器介绍 5 2.1旋涂技术 5 2 2 Keithlev 2400 测量系绅 5 2.3原子力显微镜测量系统 6 3. DNA分子薄膜记忆特性的研究 3」材料的处理和器件的制备 8 3.1.1实验试剂 8 3.1.2制备仪器 8 3.1.3实验过程 8 3.2记忆特性机理的分析 10 HYPERLINK \l bookmark10 \o Current Document \h 4.金属离子对DNA分子薄膜器件记忆特性的影响 13 HYPERLINK \l bookmark4 \o Current Document \h 4.1镰属离子对DNA分子薄膜器件记忆特性的影响 13 4.1.1加入银离子后器件的忆阻特性分析 13 4.1.2银离子对DNA记忆特性影响的机理分析 14 4.2镁离子对DNA分子薄膜器件记忆特性的影响 14 165?总结 16 参考文献 17 致谢 18 众所周知，以硅材料为基础的集成电路元件的尺寸降低到一定程度时，量子 效应变得明显，从而影响了电路的稳定性。因此需要寻找一种新型存储技术突破 此技术瓶颈。忆阻器以其独特的非线性电学性质在基础电路扩展、逻辑电路设计 以及生物仿真等领域具有广泛的应用，尤其是在存储器的研究领域具有巨大的潜 在价值。而有机忆阻器件因制备工艺简单、制作成木低、存储密度高等优点受到 了广大科研人员的关注。DNA具有独特的双螺旋结构、自组装等优势，有望制 备成为新型的有机忆阻器件。本文主要采用旋涂技术进行DNA分子薄膜器件的 制备，测量了其I?V特性曲线，观测出DNA分子薄膜具有良好的记忆特性并对 其机理进行解释。此外还对DNA分子薄膜器件分别掺杂了银离子和镁离子，并 且测量出0.02MO1 / L的鎳离子浓度能够减小器件的开关电压，提高器件的高低 电阻比，有效改善了 DNA分子器件的记忆性能，而镁离子对其记忆特性并无积 极作用，并且从理论上解释了金屈离子对DNA薄膜器件记忆特性影响的原因。 关键词：记忆电阻；DNA；金属离子 Abstract As everyone knows, the integrated circuit element to reduce the size of the silicon material as the foundation to a certain extent, quantum effects will become obvious, thus affecting the stability of the circuit. To overcome the limitations of conventional semiconductor device, it is extremely urgent to find a novel nonvolatile memory instead of current memory technology. Recently, the memristor has been widely investigated for the basic circuit extensions, the logic circuit design and the bio-simulation areas due to the specific nonlinear electrical properties, especially in random acc