曹红根《计算机组成原理》第4章存储器系统.pptVIP

第四章 存储器系统;本章学习内容 存储器的分类及主要技术指标 存储系统的层次结构 半导体存储器的工作原理 存储器与CPU的连接 辅助存储器的工作原理 Cache的工作原理 并行存储系统 ;4.1 存储器概述;4.1.1 存储器分类;(3)高速缓冲存储器（Cache） 是一种介于主存与CPU之间用于解决CPU与主存间速度匹配问题的高速小容量的存储器。Cache用于存放CPU立即要运行或刚使用过的程序和数据。;2．按存取方式分类;(3) 顺序存取存储器(SAM) 存储器所存信息的排列、寻址和读写操作均是按顺序进行的，并且存取时间与信息在存储器中的物理位置有关。如磁带存储器，信息通常是以文件或数据块形式按顺序存放，信息在载体上没有唯一对应的地址，完全按顺序存放或读取。 (4) 直接存取存储器（DAM） 介于RAM和SAM之间的存储器。也称半顺序存储器。典型的DAM如磁盘，当进行信息存取时，先进行寻道，属于随机方式，然后在磁道中寻找扇区，属于顺序方式。; 3．按存储介质分类;(3)光存储器 利用光学原理制成的存储器，它是通过能量高度集中的激光束照在基体表面引起物理的或化学的变化，记忆二进制信息。如光盘存储器。 4. 按信息的可保存性分类 (1) 易失性存储器 (2) 非易失性存储器 ;4.1.2 主存储器的组成和基本操作;;主存的基本组成;2. 主存与CPU的连接及主存的操作;主存的操作过程;4.1.3 存储器的主要性能指标; 容量、速度、价格三个指标是相互矛盾、相互制约的。 高速的存储器往往价格也高，因而容量也不可能很大。 为了较好地解决存储器容量、速度与价格之间的矛 盾，在现代计算机系统中，通常都是通过辅助软、硬件， 将不同容量、不同速度、不同价格的多种类型的存储器组 织成统一的整体。即构成存储器系统的多级层次结构。 存储器系统的多级层次结构通常是由三级存储器组成，即 Cache —— 主存 —— 辅存 ;存储器层次结构;主存 —— 辅存层次 主要解决容量问题 Cache —— 主存层次 主要解决速度问题;Date;4.2 半导体随机存储器;4.2.1 半导体存储器的分类;4.2.2 随机存取存储器的结构及工作原理;存储器芯片（存储器组件） 半导体存储器芯片一般有两种结构：字片式结构和位片式结构;字片式结构的存储器芯片（64字×8位）;位片式结构的存储器芯片（4K×1位）;(1）TMS4116芯片;Date;Date;TMS4116的刷新;读出再生放大器电路;4.2.3 动态存储器的刷新方式;所以泄漏时间为 △u：电容两端的电压变化 I：泄露电流 C：存储电容 若C＝0.2pf，△u＝1V，I＝0.1nA 则泄漏时间为 说明动态MOS元件每隔2ms必须刷新一次 △t就是刷新最大间隔，即刷新最大周期。;2. 刷新方法 按行刷新 例：16K的4116芯片，存储体排成128×128阵列，需要刷新128行。每次由刷新地址计数器给出刷新的行地址，每刷新一行，刷新地址计数器加1。;3. 刷新方式 当主存需要刷新时，CPU不能访存，所以要尽可能让刷新 时间少占用CPU时间。 ⑴ 集中式刷新 集中式刷新的优点：控制简单。 集中式刷新的缺点：在“死区”内CPU必须停止访存操作， CPU利用率低。 ;⑵ 分散式刷新 分散式刷新的优点：没有“死区”，每一系统周期都可进 行读/写操作。 分散式刷新的缺点：没有充分利用所允许的最大刷新间 隔(2ms)，且刷新过于频繁，降低了 系统的速度。;⑶ 异步式刷新 异步式刷新既充分利用2ms的最大刷新间隔，保持存储系统的高速性，又大大缩短了主机的“死区”，所以是一种最常用的刷新方式。;4.2.4 半导体存储器的组成;例：用2114芯片组成32K×8位的存储器，所需2114芯片数为： ③ 如何把许多芯片连接起来。 通常存储器芯片在单元数和位数方面都与实际存 储器要求有很大差距，所以需要在字方向和位方 向两个方面进行扩展。 主要进行三种信号线的连接： 地址信号线、数据信号线、控制信号线;1．位扩展;例：用2114存储器芯片构成1K×8位的存储器。 2114为1K×4位的芯片，现存储器要求容量为1K×8位，单 元数满足，位数不满足，需要1K×8/1K×4＝2片 2114来 构成存储器。 1K×8位的存储器共需8根数据线D7～D0，两片2114各自的4 根数据线分别用于连接D7～D4和D3～D0。