陈伟婷《计算机组成原理》ch3存储系统.ppt

第三章 存储系统 l掌握半导体存储器的分类、组成及组成部件的作用及工作原理、读/写操作的基本过程。 l掌握SRAM、DRAM芯片的组成特点、工作过程、典型芯片的引脚信号、了解DRAM刷新的基本概念。 l掌握半导体存储器的主要技术指标、芯片的扩充、CPU与半导体存储器间的连接。 l熟悉Cache的基本概念、特点、在系统中的位置。 l熟悉虚拟存储器的基本概念、特点、工作原理。 存储器的出现 1951年，中国移民王安发明了磁芯存储器，IBM于1956年购买了这项技术专利。 3.1 存储器概述 存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。 存储元：存储一位（bit）二进制代码的存储元件称为基本存储单元（或存储元、存储位、记忆单元）。 存储单元：主存中最小可编址的单位，是ＣＰＵ对主存可访问操作的最小单位。 存储体：多个存储单元按一定规则组成一个整体。 存贮器：存贮体同周围的逻辑线路一起组成。 存贮体中，为区分不同的存贮单元，对每一单元给一个编号，这个编号叫地址，地址与存贮单元一一对应。 存储器分类 按存储介质分： 半导体存储器、磁表面存储器 按存储方式分： 随机存储器、顺序存储器 按存储器的读写功能分： 只读存储器(ROM) 、随机读写存储器(RAM) 按信息的易失性分： 非永久记忆的存储器、永久记忆性存储器 按在计算机系统中的作用分： 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 分级存储体系 对存储器的要求：容量大，速度快，成本低 难以兼顾三者？？？ 采用多级存储器体系结构 An example memory hierarchy 存储系统的分层结构 ——Memory Hierarchy 存储器访问的局部性(Locality)原理 时间局部性:当前正在使用的信息很可能是后面立即还要用的信息,例程序循环和堆栈操作. 空间局部性:指连续使用到的信息很可能在存储空间上相邻或相近,以顺序执行的程序和数据(如数组),便是如此. 访问顺序性:指令顺序执行比转移执行的可能性大（约5：1） 局部性原理是存储系统层次结构技术可行性的基础。一般: CPU频繁访问的信息 高速存储器中 CPU不频繁访问的信息 低速存储器中 存储系统的层次结构 分级存储体系 主存储器的技术指标 存取时间TA(Memory Access Time)：存储器收到读或写的地址到从存储器读出(写入)信息所需的时间. 存储周期TM(Memory Cycle Time): 指连续启动二次独立的存储器操作(例连续2次读)所需间隔的最小时间.一般TM TA. 带宽BM:指每秒访问二进制位的数目. BM=W/ TM 例：若TM=500ns,每周期访问16位,则BM=16/0.5=32Mbps 要提高BM可从以下三方面入手: （1）使TM ? （2）使W? （3）增加存储体 容量:指计算机存储信息的能力,即最大的二进制信息量，以b或B表示。 3.2 随机读写存储器 半导体记忆元件: 二进制的记忆元件要有2个确定状态,表示逻辑值“0”和“1” 检测2个状态 电信号. (1)RAM(Random Access Memory):能随机地对存储器中任一单元存取,存取时间与该单元的物理位置无关.要求: 有2种稳定状态. 在外部信号激励下,2种稳定状态能进行无数次相互转换. 在外部信号激励下,能读出2种稳定状态. 存储可靠. 主存的组成 (2)RAM分类: ?SRAM(Static RAM): 即静态RAM －利用开关特性记忆,只要电源有电,就能稳定保存信息. ?DRAM(Dynamic RAM):即动态RAM －除需电源外,还要定期对它充电(刷新). 主存的组成 (3)SRAM记忆元件: 有双极型和MOS型两种 以MOS为例 当栅极和源极间加有正电压Vgs（大于门限电压）时, D与S间形成一个导电沟道， MOS导通。 单管MOS存储单元没有记忆功能,必须使用具有双稳态的触发器作为记忆元件 六管MOS单元的读写过程 写操作 　　　写“1”：在I/O线上输入高电位，在I/O线上输入低电位，开启T5,T6,T7,T8四个晶体管。把高、低电位分别加在A，B点，使T1管截止，使T2管导通，将“1”写入存储元. 　　　写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，打开T5,T6,T7,T8四个开门管。把低、高电位分别加在A，B点，使T1管导通,T2管截止,将“0”信息写入了存储元。 读操作 　　若某个存储元被选中，则该存储元的T5，T6，T7，T8管均导通，A，B两点与位线D与D相连。存储元的信息