退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O-中国科技论文在线.PDFVIP

中国科技论文在线 1196 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O 薄膜性质的影响* 张锡健，马洪磊，王卿璞，马 瑾，宗福建，肖洪地，计 峰 （山东大学物理与微电子学院，济南 山东 250100 ）1 摘 要：采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出 MgO 和 ZnO 的晶格常数相差不大，其禁带宽度为 高质量的Mg0.16Zn0.84O 薄膜。用X 射线(XRD) 、原子 7.7eV 。MgO 和ZnO 形成合金MgxZn1-x O 的带隙可以 力显微镜（AFM ）分别研究了在 200 、400 、600 和 在 3.3～7.7eV 之间变化，可以与ZnO 组成异质结、 800℃下空气中退火2h 的Mg0.16Zn0.84O 薄膜的结构、 多量子阱和超晶格。所以MgxZn1-x O 是一种很有前途 表面形貌。结果表明，Mg0. 16Zn0.84O 薄膜是六角纤锌