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白光LED用CeYAG晶体的下降法生长和光谱性能-应用技术学报
上海应用技术学院学报自然科学版
第卷第期 ( )
15 1 Vol.15No.1
年月 ( )
20153 JOURNALOFSHANGHAIINSTITUTEOFTECHNOLOGYNATURALSCIENCE Mar.2015
文章编号: ( ) : /
16717333201501005904 DOI10.3969.issn.16717333.2015.01.010
j
:
白光 用 晶体的下降法生长和光谱性能
LEDCeYAG
1a 1a 1b 2
牛雪姣,徐家跃,张灿云,童健
(上海应用技术学院材料科学与工程学院晶体生长研究所;理学院,上海 ;
1. a. b. 201418
, )
上海单晶仪器设备有限公司上海
2. 201109
: ( ) : ,
摘要采用真空坩埚下降法生长了白色发光二极管 用 晶体该生长方法所得晶
LEDCeYAG
3+ , ( ) : ,
体的 掺杂浓度较高相对色温 低于传统方法所生长的 晶体其激发峰是位
Ce 3751K CeYAG
, ,
于 左右的宽峰与蓝光 的发射波长相匹配有望代替黄色荧光粉用于白光 随驱
460nm LED LED.
, , ,
动电流增加白光 的发光效率逐渐降低相对色温几乎不变在 时白光 显色指
LED .100mA LED
数达到最大值.
3+
关键词:掺钕钇铝石榴石; ;晶体生长;光谱性能;白色发光二极管
Ce
中图分类号: 文献标志码:
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