反应磁控溅射法制备ZnN薄膜的工艺研究-山东建筑大学学报.PDFVIP

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反应磁控溅射法制备ZnN薄膜的工艺研究-山东建筑大学学报

第30卷 第1期 山东 建 筑 大 学 学 报 Vol.30 No.1 2015年 2月          JOURNAL OFSHANDONG JIANZHU UNIVERSITY          Feb. 2015 文章编号:1673-7644(2015)01-0047-06 反应磁控溅射法制备ZnN 薄膜的工艺研究 3 2  孙舒宁,王凤翔 ,陈志华,付刚,张秀全 (山东建筑大学 理学院,山东 济南250101) 摘要:制备和研究高质量的ZnN 薄膜有助于拓展新型薄膜材料体系。文章采用反应磁控溅射技术,研究不同 3 2 的溅射功率、NAr流量比、衬底类型和衬底温度等沉膜工艺对ZnN 薄膜结晶质量的影响;采用XRD、SEM和 2 3 2 AFM等测试手段,分析ZnN 薄膜的微结构和表面形貌。结果表明:几种衬底上,以石英玻璃作衬底沉积的 3 2 ZnN 薄膜晶粒尺寸较大,衍射峰较强,且为多晶向薄膜;当NAr流量比提高时,ZnN 薄膜为单一择优取向 3 2 2 3 2 的结晶薄膜;衬底温度升高后,ZnN 薄膜晶粒尺寸减小,但是单一择优取向不变;溅射功率提高后,薄膜晶粒尺 3 2 寸增大,择优取向改变,由单一晶向变为多晶向,以<100>晶向单晶硅作衬底可获得单一晶向ZnN 薄膜,而 3 2 以<111>单晶硅作衬底制备的ZnN 薄膜经XRD测试,未检测到ZnN 晶体。 3 2 3 2 关键词:磁控溅射技术;ZnN 薄膜;衬底;择优取向 3 2 中图分类号:0.484.1     文献标识码:A TechnicalstudyonZnNthinfilmpreparedbyreactivemagnetronsputtering 3 2  SunShuning,WangFengxiang,ChenZhihua,etal. (SchoolofScience,ShandongJianzhuUniversity,Jinan250101,China) Abstract:ResearchandpreparationofhighqualityZnN thinfilmcontributestotheexpansionof 3 2 newthinfilmmaterialssystem.MagnetronsputteringwasemployedtodepositZnN thinfilmunder 3 2 thevariedsputteringpowers,NArgasesflowrates,substratetypesandtem

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