测量离子束横向截面的闪烁体屏的热分析-强激光与粒子束.PDFVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 30 9 Vol.30 No.9 年 月 , 2018 9 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Se. 2018 p 测量离子束横向截面的闪烁体屏的热分析* , 13 1 2 2 2 王小胡 , 李嘉辉 , 杨 振 , 龙继东 , 章林文 ( , ; , ; 1.西南科技大学 国防科技学院 四川 绵阳 621010 2.中国工程物理研究院 流体物理研究所 四川 绵阳 621900 , ) 3.西南科技大学 核废物与环境安全国防重点学科实验室 四川 绵阳 621010 : ( ) , 摘 要 针对基于闪烁屏 电荷耦合元件 相机的氘离子束横向强度分布测量系统 利用 软 -CCD ANSYS , 、 , 件模拟计算了在直流及脉冲模式下 能量 100keV 束斑直径 3mm氘离子轰击造成的AlO SiO 以及锗酸 2 3 2 ( ) 。 , , 铋 BGO 三种候选闪烁体材料的表面温度变化 结果表明 在 30 A的直流氘离子束轰击下 闪烁体表面温 μ 。 , 度随辐照时间急剧地升高 持续时间 10min的氘离子束轰击将使三种材料前表面的温度分别升高 131234 。 、 、 , 和 649℃ 对于峰值流强 30 A 重复频率 1Hz脉宽 5 s的重复频率脉冲氘离子束 每个脉冲引起的三种闪 μ μ , 。 烁屏表面的温度升高均小于0.05℃ 且长时间的离子辐照基本不会造成闪烁屏的表面温度有明显的升高 对 , 。 , 于脉宽 5 s的单脉冲氘离子束 三种材料的表面温度均随离子流强近似呈线性地增加 在单脉冲模式下