应用于高功率LED固晶制程之低温固晶技术-广化科技.PDFVIP

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2019-03-02 发布于天津
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应用于高功率LED固晶制程之低温固晶技术-广化科技.PDF

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应用于高功率LED固晶制程之低温固晶技术-广化科技

應用於高功率 LED固晶製程之低溫固晶技術在高功率照明 LED 封裝製程中，首重考量燈具之散熱需求，其中又以固晶層的散熱需求受矚目。目前國內封裝廠常用之固晶製程方式為銀膠固晶製程或 AuSn 共晶固晶製程，但由於銀膠熱阻 (3.0℃/W)過高與可靠度不佳等問題所產生的散熱瓶頸，無法滿足高功率LED照明應用需求，而 AuSn 共晶固晶雖可解決散熱問題，但因固晶溫度 (310℃)過高易導致晶片受損與發光效率降低，以及基板受限 (不適用導線架)等問題，因此迫切需求兼具低熱阻(2.0℃/W) 、高耐溫性 (250℃) 、低接合溫度(180℃) 、高可靠度的固晶製程技術。為了滿足此一需求，本公司與工研院機械所合作開發創新的 LED 低溫固晶製程設備與技術，其不但能大幅降低固晶溫度，且具有低熱阻，亦能節省固晶成本。目前所開發之低溫固晶製程技術特點如下：  固晶材料特性：如下表所示，低溫固晶材料兼具低固晶溫度、高耐溫性及高接合強度等優勢。固晶溫度 100℃ 固晶層耐溫溫度 250℃ 耐鹼清洗可承受 1%KOH 20min 接合強度 50MPa  熱阻特性：各大廠封裝體的熱阻量測結果如下，低溫固晶具有較低熱阻的優勢。 1. P 公司：2.0 K/W 2. C 公司A 產品：1.5 K/W 3. C 公司B 產品：1.7 K/W 4. O 公司：約為3.7 K/W 5. 低溫固晶：0.85 K/W  高溫接合強度：基板加熱至 260℃，晶片接合強度仍達 2kg 以上。  固晶層孔隙率分析：委託宜特分析結果無明顯孔隙。  可靠度測試： 1. Thermal Shock測試結果推力值幾乎呈現無降低。 2. 高溫動態及高溫高濕動態測試無漏電的問題出現。 9.0 8.5 8.0 ) g 7.5 k ( 值 7.0 力推 6.5 6.0 5.5 5.0 0 100 300 500 600 700 800 900 1000 Thermal Shock Cycles 低溫固晶 Hours/Test 55℃350mA 55℃7000mA 85℃85%350mA Vf@T0 3.2424 3.2567 3.2227 △Vf@T160 0.0304 0.0180 0.0184 △Vf@T500 0.0369 0.0323 0.0269 △Vf@T750 0.0241 0.0529 0.0488 △Vf@T1000 0.0241