直流磁控溅射制备用于GaAsMESFET钝化的AlN的工艺研究.PDFVIP

　第 20 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 20, . 8 V o l N o 　1999 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 1999 直流磁控溅射制备用于 GaA s M ESFET 钝化的A lN 的工艺研究 曹　昕　罗晋生 ( 西安交通大学微电子所　西安　710049) 陈堂胜　陈克金 (南京电子器件研究所　南京　210016) 摘要　室温下, 用直流磁控反应溅射方法在 混合气体中淀积了 薄膜, 所用衬底是 N 2 A r A lN ( 100) 面的半绝缘 GaA s 单晶片. 研究了反应条件, 如反应气压、反应气体配比、直流功率, 对薄 膜的物理性质和化学性质的影响. 为了得到适于 GaA s M ESFET 钝化的薄膜, 还对反应条件进 行了优化. PACC: 6855 1　前言 为了提高 GaA s 器件的性能和可靠性, 多年来人们一直在寻找适合于 GaA s 器件的钝 化膜. 目前常用的钝化膜如 2、 3 4、 等, 都不能完全满足 器件的表面钝化的 SiO SiN SiON GaA s 需要. A lN 膜由于其优良的特性, 如化学性质稳定、能与 GaA s 形成良好的界面、热膨胀系数 [ 1 ] 与 GaA s 匹配等, 受到了研究者的关注 . A lN 薄膜可用多种方法制备, 如反应离子束沉积 ( ) [ 2 ]、反应蒸发( ) [ 3 ]、分子束外延( ) [ 4 ]、 reactive ion beam depo sition reactive evapo ration M BE 等离子体增强化学气相淀积(PECVD ) [ 5 ] 等. 与以上方法相比, 直流磁控反应溅射方法具有 成本低、工艺兼容性好的优点, 是一种很有前途的制备方法. 对于器件钝化来说, 所关心的是 钝化膜的密度、应力、生长过程对衬底的损伤等特性. 而对直流磁控反应溅射方法制备的 A lN 膜, 缺乏对这方面特性的了解. 本文研究了反应条件与薄膜性质, 如膜的成分、密度、应 力、损伤等的关系. 以此为基础对反应参数进行了优化. 利用优化后的反应条件制备的A lN 膜用于 GaA s M ESFET 的钝化, 钝化后器件的直流特性没有退化, 并表现出较好的射频功 [ 6 ] 率特性 . 曹　昕　男, 1972 年出生, 博士生 罗晋生　男, 1950 年毕业于交通大学物理系, 现为西安交大教授, 中国电子学会会士, 研究领域为 化合物半导 体及器件、新型功率半导体器件、离子注入技术及椭偏光技术 陈堂胜　男, 1964 年出生, 高级工程师, 从事 GaA s 微波器件及MM IC 研究 收到,定稿 8 期 曹　昕等: 　直流磁控溅射制备用于 GaA s M ESFET 钝化的A lN 的工艺研究 645 2　实验