第12章：铜铟镓硒太阳电池.pptVIP

铜铟镓硒太阳电池 铜铟镓二硒太阳电池概况 两类：铜铟硒三元化合物，Copper Indium Diselenide, CIS，铜铟镓硒四元化合物，Copper Indium Gallium Diselenide, CIGS。 CIS, CIGS电池吸光范围广，户外环境稳定性好，材料成本低，转化效率高，又一具有发展潜力的薄膜电池。 标准环境测试，转换效率20%，聚光系统30%，柔性大面积塑料基板15%。 CIGS具有较好的抗辐射性，具有太空应用的潜力。 CIS起源1970年贝尔实验室：P-CIS晶片沉积n-CdS，12% 铜铟镓硒材料特性 CuInSe2及CuGaSe2室温下具有黄铜矿的正方晶系结构，晶格常数比c/a=2；800度高温出现立方结构（闪锌矿，ZnS）。 CIS相图：位于Cu2Se和In2Se3 CIS为Cu2Se和In2Se3固溶体，相图位置狭窄，薄膜成长温度500度以上 单一相获得：精确浓度控制。 铜铟镓硒材料特性 CIS可与CuGaSe2任意比例混合形成CuIn1-xGaxSe2 CuIn1-xGaxSe2容许较宽成分变化，但光电特性改变不明显。 CuIn1-xGaxSe2电池可在Cu/(In+Ga)=0.7-1比例制造。 CIS吸光系数较高（105/cm），1微米材料可吸收99%太阳光 CIS直接能隙半导体，1.02eV，-2X10-4eV/K CuIn1-xGaxSe2能隙计算：Eg=1.02+0.626x-0.167（1-x） 电性： 富铜CIS具有P型特征 富铟CIS可P或N型特征 高压硒环境下热处理，P型特征变为N性特征；低压硒热处理，N型变P型 铜铟镓硒太阳电池 CIS，CIGS制造技术众多，但结构相似：Cu(InGa)Se2/CdS，钼（Mo）基板 铜铟镓硒太阳电池 CIS，CIGS制造方法： 商业主要采用Shell Solar真空程序法：投资大，设备贵。 实验室同步蒸镀法：大规模生产难度大，商业化难度高。 ISET非真空纳米法：研发阶段，商业化进程期待中 CIGS面临挑战： 制造程序复杂，投资成本高； 关键原料供应不足； CdS毒性 In性质 铟（49）是银白色并略带淡蓝色的金属 ，熔点156.61℃，沸点2080℃，密度7.3克／厘米3（20℃）。很软，能用指甲刻痕，比铅的硬度还低。铟的可塑性强，有延展性 易溶于酸或碱；不能分解水；在空气中很稳定 铟在地壳中的分布量比较小，又很分散，稀有金属。 电子计算机（InSb），电子，光电，国防军事，航空航天，核工业，现代信息技术 Ga性质 镓（31）是银白色金属。密度5.904克/厘米3，熔点29.78℃，沸点2403℃ 在空气中表现稳定。加热可溶于酸和碱；与沸水反应剧烈，但在室温时仅与水略有反应 。高温时能与大多数金属作用 镓用来制作光学玻璃、真空管、半导体的原料 高纯镓电子工业和通讯领域，是制取各种镓化合物半导体的原料，硅、锗半导体的掺杂剂，核反应堆的热交换介质 Se性质 Se（34）一种非金属，可以用作光敏材料、电解锰行业催化剂、动物体必需的营养元素和植物有益的营养元素等。 光敏材料：油漆、搪瓷、玻璃和墨水中的颜色、塑料。光电池、整流器、光学仪器、光度计等。硒在电子工业中可用作光电管，在电视和无线电传真等方面也使用硒。硒能使玻璃着色或脱色，高质量的信号用透镜玻璃中含2％硒，含硒的平板玻璃用作太阳能的热传输板和激光器窗口红外过滤器。 CIGS薄膜技术 CIGS薄膜技术很多 CIGS薄膜技术要求：大面积、高沉积速率，低成本，薄膜均匀 同步蒸镀法（Co-evaporation） 硒化法（Selenization） CIGS薄膜技术—同步蒸镀法 CIGS薄膜技术—同步蒸镀法 Cu、In、Ga与基板结合系数高，故利用各原子流量可控制薄膜中各成分比及沉积速率，In与Ga相对比例决定了能隙宽度大小 Se高蒸汽压、低附着系数，故薄膜成分中比例少于原子流量中个数。 同步蒸镀法优点： 自由控制薄膜成分，及能隙宽度 电池效率高 同步蒸镀法缺点： Cu挥发较难控制，即操作较难 大面积商业化前景不明朗 CIGS高品质薄膜制备：双层制造 先蒸镀2微米Cu-rich CIGS 再蒸镀1微米In-rich CIGS 该结构CIGS已成功应用到太阳电池中 CIGS薄膜技术—硒化法 硒化法又称两步法 先Cu、In、Ga蒸镀到基板上，然后常压下与H2Se反应生成CIGS薄膜 硒化法太阳电池效率16% 反应温度：400-500度 反应时间：30-60分钟 方程式： 硒化法优点： 金属薄膜（Cu、In、Ga）沉积技术成熟 高温反应时间缩短，故成本低 硒化法缺点： CIGS能隙宽度难以改变：组分控制较难； CIGS与基板结合强度差 H2Se有毒 CIGS太阳电池结构