晶场效应和化学键性质对Eu2+光谱结构的影响.pdfVIP

犯学学报 ACTA0Ⅲ 硅[0A BIN工0A 19J~， 64 652 晶场效应和化学键性质对 Eu 光谱结构的影响 湔石清 石春山 (中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室，长春) 合成了掺 Eu+的单一氟化物五种和复台氟化物六种；研究了Eu讣在基质 中的跃迁发射 随晶 扬 、化学键性质变化 的规律．在一些低配位教、强晶场的体系中观察到 了Eu。的±呻 ±跃迁发射 · 首次在室温下，观察到单一氟化物 AIF~：Eu 中的 ±跃迁发射． 在基质中E +离子通常可产生两种不同的跃迁发射：(1),~4PSd组态到基态4f(8m) 的允许跃迁，简称 d f跃迁；㈣ 4p(。 ) 4，(B8脂)同一组态内的禁戒跃迁．简称 f— f跃 迁． EⅡa+的d f跃迁发射波长可在很大范围内波动，基本上覆盖了可见和紫外 区 (3彻 一 6400置)，使Eu。+在作为荧光材料和可调谐固体激光材料方面有很大的优越性．EⅡ 的f—f 跃迁发射通常在3600孟 附近 由于其单色性好、温度猝灭小在作为特殊用途的荧光材 料和 紫外固体激光材料方面都很有意义，I起了人们的巨大兴趣 ． Eun在基质中通常表现为 d f跃迁发射，f— f跃迁发射要在一定条件下才能出现 ， 产生 f— f跃迁发射 的基质一般是复台氟化物，复合氧化物、氟卤化物 以及硫酸盐等．对于 l f跃迁发射产生的条件，Blassem．F0Ⅱa8越eT 、石春山 等在实验的基础上都提出了各 自 的判据． 本文报道在一些低配位数、强晶场的体系中也观察到Eu 的f— f跃迁发射，特别是 首 欢在室温下，观察到单一氟 化物 AIF8：EⅡ 中的 f f跃迁 发射，这 些 结 果 与Blase， Fouassier的判据是不相符合的． 实 验 试剂 所用试剂 EⅡ。。a的纯度为99．99弗，M目Fj、OaF，为光谱纯试剂，NaF、KF-2H ， N日。丑Fj、SrF~．BaF2、BeF卫’AIF,~3寺丑2O、Na~AIFe、Kl8i为化学纯试剂-ⅡF、HC1为分 ‘J 析纯试剂． 1hl 合成 按照文献 [4]报道的方法制备丽成． 掺 Eu 氟化物样品的合成 将氟化物、EuF。称取一定量．研磨混匀，采用 固相扩散法合 成．用氲气保护(流量O．5L／min)，掺 EⅡJ 的样品分别按下列温度灼烧：MF~(M ‘Mg、 ， 8r、Ba)：1000。a；AIF3：9GO~C；Na~BeF ：60O~C；KIBeF|：750~C~K gF4：990~C~N‰tAaF~,： $00~C；Na~AIF 990~C；K|8i ：750~C．其 中KI8i 由于易分解，应在密闭容器中灼烧．灼 烧时间均为4h． 测试仪器 激发光谱、荧光发射光谱采用 Ⅱi七achiI~PF-4分光光度计测得；晶体鳍构采 1。E8年 11月8日收到．国家自然科学基金资助的项目． 亿学学报 AoT CHI~vIIOASINI(],A 1990 甩 RigakuD／maxLIB型x一线衍射仪测得． 结 果 与 讨 论 掺杂 ElP 的单一氰化物样品 MF2(M—Mg、(】a、Sr、Ba)、AIF8基质中Eu 离子的电 子跃迁发射特性见表 l： 表 1 NF2、AIF3中Eu 离子4P5d吸收带下限能量与荧光光谱结构 4f l【吸收带下限能量 荧光光谱结构 基 质 测试温度 (E) ( em一) 跃迁发射类型 发射峰位置 (A) A1F$ 300 ∞ 80O f÷ f 3590 M g 30O 273o0 ¨ f