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* 雪崩理论是在电场足够高时，自由电子从电场中获得的能量在每次碰撞后都能产生一个自由电子。因此往n次碰撞后就有2n个自由电子，形成雪崩或倍增效应。这些电子一方面向阳极迁移，一方面扩散，因而形成一个圆柱形空间，当雪崩或倍增效应贯穿两电极时，则出现击穿。 * 雪崩理论是在电场足够高时，自由电子从电场中获得的能量在每次碰撞后都能产生一个自由电子。因此往n次碰撞后就有2n个自由电子，形成雪崩或倍增效应。这些电子一方面向阳极迁移，一方面扩散，因而形成一个圆柱形空间，当雪崩或倍增效应贯穿两电极时，则出现击穿。 * 平板固体介质电容器加压后，两极板上即充上异性电荷，极间电场为E。两电极上异性电荷的相互作用，造成两极间存在相互吸引。这个引力就使极间的介质受到挤压而发生变形。由于高聚物弹性模量小（比陶瓷材料等小两个数量级左右），容易变形，挤压的作用使聚合物的厚度减小。如温度有所增加，使材料场氏模量下降，从而试样的厚度更显著地减小，这就使电场电压不变情况下，进一步升高，最终导致击穿，常称为电一机械击穿。 * * 平板固体介质电容器加压后，两极板上即充上异性电荷，极间电场为E。两电极上异性电荷的相互作用，造成两极间存在相互吸引。这个引力就使极间的介质受到挤压而发生变形。由于高聚物弹性模量小（比陶瓷材料等小两个数量级左右），容易变形，挤压的作用使聚合物的厚度减小。如温度有所增加，使材料场氏模量下降，从而试样的厚度更显著地减小，这就使电场电压不变情况下，进一步升高，最终导致击穿，常称为电一机械击穿。 * * * * * * * * * 将磁性材料放入磁场空间时，B的大小取决于材料M和H的相互作用：B=μ0（H+M）=μH，这里μ为磁导率(Permeability) 也可以定义相对磁导率μr＝μ/μ0，大的μr表示材料有大的磁场增强作用 一般物质磁性强弱可由磁化率(Susceptibility)χ=M/H来表示。χ和μr都反应了材料增强磁场的程度，它们之间的关系为：μr＝χ+1 8.2 原子和离子的固有磁矩 8.2.1 自由原子的磁矩 1.电子轨道磁矩 波尔的原子结构模型：原子核外电子以角速度为ω绕原子核作半径为r的圆周轨道运动 设电子的电荷为e，质量为m，从电荷流动产生电流的角度考虑: i=-eω/2π 又根据电磁理论的定义，电流为i ，面积为A的闭合回路中产生的磁矩为 μl=iA 得电子轨道磁矩为 μl= eωr2/2。 另外，该电子运动的角动量Pl为：Pl=r2mω，由此可得：μl=γlPl 这里γl =e/2m称为轨道旋磁比 在外磁场作用下，轨道磁矩在外场方向的可取值为： 　　　　μl,H=mlμB 式中m1为磁量子数，可以取m1=0，±1，±2，±3，……±l,共（2l+1）个值 合成的总轨道角动量等于零，总轨道磁矩也等于零 计算原子的总轨道磁矩时，只需要考虑未填满的那些次壳层中电子的贡献 2. 电子自旋磁矩 实验和量子力学已证明电子在做轨道运动的同时还绕自身的轴做自旋运动，自旋运动产生的磁矩为： μl=2 μB s为自旋量子数，它仅能取两个值±1/2 计算原子的总自旋磁矩时，只需要考虑未填满的那些次壳层中电子的贡献。 3. 原子的总磁矩 原子的总磁矩是电子轨道磁矩与自旋磁矩的总和。 原子内各电子轨道磁矩先组合成原子总的轨道磁矩μL，各电子的自旋磁矩先组合成原子总的自旋磁矩μL，各电子的自旋磁矩先组合成原子总的自旋磁矩μs，然后两者再耦合成原子的总磁矩。这种耦合称为LS耦合 LS偶合的自由原子的磁矩为： μJ=μL+μs=-μB(PL+2Ps)/ h |μJ|=g√J(J+1)μB 式中g称为朗德（Lande）因子；J为原子总角量数；L为原子总轨道角量子数；S为原子总自旋量子数 g=1+[J(J+1)+S(S+1)-L(L+1)]/[2J(J+1)] 当L=0时，J=S,g=2,原子总磁矩由自旋磁矩贡献。当S=0时，J=L,g=1,原子总磁矩由轨道磁矩贡献。 洪德法则：在LS耦合的情况下，对那些次电子层未填满电子的原子或离子，在基态下，其总角量子数J与总轨道量子数L和总自旋量子数S的取值为： 1.在未填满电子的那些次电子层内，在泡利（Pauli）原理允许的条件下，总自旋量子数S取最大值，总轨道量子数L也取最大值。 2.次电子层未填满一半时，原子总角量子数J=L-S；次电子层满一半或满一半以上时，原子的总角量子数J=L+S。 例如,Fe的未满层电子是3d6,该层电子对原子 磁矩有贡献： n=3, l=2, ml=0,±1,±2 S=