北京化工大学2014年攻读硕士学位研究生入学复试考试综合二样题.DOC

北京化工大学 2014年攻读硕士学位研究生入学复试考试 综合二?样题 注意事项： ⒈答案（包括有关图）必须写在答题纸上，写在试题上均不给分。 ⒉答题时可不抄题，但必须写清题号。 ⒊答题时用蓝、黑墨水笔或圆珠笔，用红色笔或铅笔均不给分。 数字信号处理部分 一、填空题（每题2分，共10分） 1、序列的8点DFT是在其DTFT的 区间以 为间隔采样的结果。 2、若的DTFT为，则的DTFT为 。 3、序列的长度为120点，序列的长度为165点，计算和的256点循环卷积，则结果中相当于和线性卷积的点的范围是 。 4、已知是实系数全通系统的一个极点，则可知是系统的 点，是系统的 点。 二、（10分）设有一个线性时不变系统，其系统函数，收敛域为， 求其单位抽样响应，并讨论该系统的因果性和稳定性。 三、（10分）已知序列，求序列的DTFT，计算并画出0～2π区间的幅度谱，并根据该幅度谱写出的4点DFT的各点幅度谱数值。 四、（10分）已知模拟低通滤波器系统函数为，请分析其幅度频率特性，给出3dB点（即幅值为时）对应的模拟角频率，并用双线性变换法设计出3dB截止频率为的数字低通滤波器的系统函数。（注：；） 五、（10分）设计一线性相位FIR低通滤波器，对应的模拟低通滤波器频响特性 抽样频率，要求阻带衰减不小于-50dB，过渡带宽。 采用窗函数法设计（设计后不需检查指标是否满足要求） （第2页） 若指定N=51，则如何选择窗？什么参数会发生变化？ 微机原理及接口技术部分 六、填空题 (每空0.5分，共5分) 1．指令MOV AL，[SI+10]是一条 寻址指令。 2. PC/XT 从00020H开始存放IRQ0中断矢量地址，其内存地址及其内容对应如下所列： 地址（H）:20，21，22，23，24，25，26，27，28，29，2A，2B 内容（H）:3C，00，86，0E，45，00，88，0E，26，00，8E，0E 请问： 1）外部可屏蔽中断IRQ3的中断矢（向）量地址是 。 2）IRQ3的中断服务程序入口地址是 。 3. 设有一个具有13位地址和8位字长的存储器，问存储器能存储 字节的信息；如果CPU采用8086，译码电路采用全译码方式，则片内用 作为地址线；片选用 作为地址线。 4. EIA-RS-232C对电气特性、逻辑电平都作了规定，请说明: 在TxD和RxD数据线上，逻辑１对应的电压为 V; 逻辑0对应的电压为 V。 5. 两片DMA控制器8237级联最多可扩展 个DMA通道。若5片8237进行两级级联，最多可扩展 个DMA通道。 七、简答题(本题共5小题，满分10分) 1. 说明8255工作在方式1下的主要特点。 2. 多级中断与单级中断的区别是什么？ 3. 若已知加在8253芯片上的外部计数时钟频率为1MHz，若在不增加硬件芯片的情况下，欲使8253产生周期1秒的对称方波，试说明应如何设计。 4. USB有什么特点？请写出五种常用总线的名称。 5. 设异步串行通信以RS-232为接口，采用起止式通信协议，每帧数据格式包含1个起始位， 八、程序设计题(本题共2小题，满分10分) 1．已知(DS)=1234H,(SI)=0124H,(12464H)=30ABH,(12484H)=0464H (3分) LEA SI, [SI] MOV AX, [SI] MOV [SI+22H], 1200H LDS SI, [SI+20H] ADD AX, [SI] 上述程序段执行后，(DS)= ；(SI)= ；(AX)= 。 2.编写完整的汇编语言程序，实现以下乘法运算，被乘数为5位十进制，乘数为1位十进制数，例如计算30816*6=？，被乘数和乘数均以ASCII码形式存放。要求乘积也以ASCII形式存放（7分）。 九．电路设计题(本题满分25分) 1. 在一个8086系统中，用20条地址线（A19~A0）对256K×16位的FLASH存储器芯片和4M×32位的半导体只读存储器进行寻址。如果存储器的地址线为8位、数据单元为8位，试分析并回答下列问题（12分）: （1）FLASH存储器芯片和半导体只读存储器芯片各需多少个？（4分） （2）请画出