无定形多层膜的热稳定性专业术语仅供参考1简介无定形半导体多.PDF

无定形多层膜的热稳定性(专业术语仅供参考) 1. 简介 无定形半导体多层膜展现出来的诸多特别的物性中，我们关注于多层膜的构造稳定 性，利用a-Ge：H/a-GeNx 系进行研究。这类多层膜的稳定性的问题决定了其基础特征， 也决定了其应用范围，但对其稳定性的研究尚未研究透彻。 决定无定形半导体多层膜的构造稳定性的因子，主要是 （i）周期长（井层厚，障 壁层厚）和（ii）界面状态这2 点。（i）的周期长的效果，也可以称为 “构造稳定性的 尺寸效果”。作为尺寸效果的直观理解，从无定形到结晶的构造变化，伴随着稳定结晶 核的生成和成长的过程，此时稳定结晶核的临界半径的大小变为和周期长相同程度，被 称为结晶化转移点的上升，或者膜构造的稳定化后的尺寸效果。此时，从热力学立场来 看，界面状态会影响界面能量和构造稳定性。 本文将以a-Ge：H/a-GeNx 系为例研究无定形多层膜的构造稳定性，文中列出了a-Ge： H/a-GeNx 系的实验结果。 2. 实验 a-Ge：H/a-GeNx，或者 a-Ge /a-GeNx 多层膜是由反应性溅镀法形成的。a-Ge：H， a-Ge，a-GeNx 各自的层，是使用Ar+H 、Ar 和N 气体作为反应性气体，为了形成陡峭的 2 2 异质结界面，导入了气体交换和联动电脑控制自动快门开闭。各层厚度可以由快门开闭 -3 时间控制，使其在数10～数100Å的范围中变化。溅镀的全压是5×10 Torr，Rf 功率是 0.1kW，另外基板温度在室温下进行。堆积速度是a-Ge：H，a-Ge 是2.3Å/sec，a-GeNx 是1.5Å/sec。另外，各自的膜层是气体交换后过60 秒残留气体完全消失后打开快门使 其堆积。形成的多层膜的周期长、不同浓度和韧炼处理结晶化多层膜的周期长以及结晶 的定向性的解析通过 X 射线衍射求得，而多层膜的结晶温度通过差示量热分析（DSC） 决定。 另外，韧炼结晶状态的变化用红外技术 （IR）表征，带隙的变化通过其他光吸收技 术 （UV，NIR）表征。 3. 实验结果 图 1，是a-Ge：H （235Å）/a-GeNx （125 Å）多层膜的高分辨率透过电子显微镜的 照片。黑色层相当于Ge：H 层（235Å），白色层相当于GeNx （125 Å）。各层的厚度在膜 内各种位置是固定的，只有用电子显微镜看至少 1μm 范围内没有厚度分布。另外关注 这个界面，（i）Ge：H 到GeNx 的浓度在5Å 以下进行，（ii）膜面内的凹凸也是5Å 以下。 图2 显示同一样品的XRD 的低角度衍射结果，超格子反射观测到多达 18 次，而且各自 波峰的半幅宽也小。由此我们知道通过XRD 的分析5Å 以下的界面也有陡峭性。 接下来，说明一下这些多层膜的构造稳定性，能够定量地决定结晶温度的实验结果。 我们使用的a-Ge：H，a-GeNx 的1μm 厚的单膜，结晶转移点分别是450℃、900℃以上， 这些多层膜韧炼时，考虑只有井层的a-Ge：H 层结晶化。图3 （a），（b）显示了利用X 射线衍射分析得到的多层膜韧炼时的构造变化结果。此结果的一个主要特征是韧炼高角 度侧出现Ge （111）面的衍射波峰，此时低角度的超格子反射被保存，低角度的超格子 反射的样式有变化，该测试结果可以呈现很好的再现性。由此，我们知道多层膜韧炼时 只有井层结晶，而且此时改变浓度也不会发生改变。也就是被夹在稳定的2个障壁层中， 井层生成结晶 Ge。XRD 的样式变化与井层厚/障壁层厚的比的变化相当，至于其原因现 在正在研究中。 热分析测试是使铝轮上a-Ge：H/ a-GeNx 多层膜堆积，然后把其直接用差示量热分 析进行测定。差示量热分析（DSC）条件，是在20℃/min 升温速率下进行，同时为防止 样品氧化，在真空或Ar 气流中进行。图4 显示的是固定障壁层厚 （180 Å）下，井层厚 变化时的井层的a-Ge：H 和 a-Ge 的结晶温度变化的情况。由此我们知道，（i）井层变 薄，结晶温度上升，（ii