GreenTechnology臭氧水反应机制研究及其应用.PDFVIP

Green Technology 精領 奈量 1,2 ppt 見 更 VLSI 連 奈量 留量 行 final rise 不理 更度 (DI-O3) 力 率O2(g) CO2(g) H2(g) 綠 行 金 粒 RCA 量 H SO HCl H O 2 4 2 2 3,4 留省量 0.13 m ultra-thin oxide 度率良率 行 pre-gate cleaning (gate oxide growth) oxide integrity and passivation 行爐 奈 精 IC Year/ 2001 2002 2003 2004 2005 2008 Technology Node 180 nm 130 nm 130 nm 130 nm 100 nm 60 nm 2 Organics (C at/cm ) 6.0E+13 5.3E+13 4.9E+13 4.5E+13 4.1E+13 2.8E+13 Critical surface ≤6E+9 ≤4.4E+9 ≤3.4E+9 ≤2.9E+9 ≤2.5E+9 ≤2.1E+9 2 metals (at/cm ) Particle size(nm) 75 65 60 55 50 35 Light scatters (cm-2) 0.058 0.068 0.064 0.06 0.051 0.052 Gate oxide Tox 1.5-1.9 1.5-1.9 1.5-1.9 1.2-1.5 1.0-1.5 0.8-1.2 equivalent (nm) Ref.(International Technology Roadmap for Semiconductors, 2000) IC (photoresist removal) 5,6 (post-etch cleaning) 7 (post-CMP cleaning) 7 (pre-gate cleaning) 8 (ultra-thin gate oxide growth) 10,11 力 (surface preparation) 度度 參數 不 // / (free radicals)行力 不異 料 行 來IC Ozonated UPW 利年度行 度流量度 不度理力 理參數度 力度 量 流量例 兩率 度 7 ppm 率12 %力度 ( 1 bar 5~10 % 率見 ) Henry’s Law 行 列 行連串 12 -3 料 10 3~5見( ) 理度 立了 rad