基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术-光学工程专业论文.docxVIP

基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术-光学工程专业论文.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术-光学工程专业论文

苏州大学学位论文使用授权声明 本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定, 即:学位论文著作权归属苏州大学。本学位论文电子文档的内容和纸 质论文的内容相一致。苏州大学有权向国家图书馆、中国社科院文献 信息情报中心、中国科学技术信息研究所〈含万方数据电子出版社〉、 中国学术期刊(光盘版〉电子杂志社送交本学位论文的复印件和电子 文档,允许论文被查阅和借阅,可以采用影印、缩印或其他复制手段 保存和汇编学位论文,可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数 据库进行检索。 涉密论文口 本学位论文属 在一一一年一一月解密后适用本规定。 非涉密论文 d v-whlJ一 生r v -wh l J一 生 r 叫阿一 决 期 期导师签名: I/丛业 期 基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术 中文摘要 基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮 廓重建技术 中文摘要 半导体工业中,离子注入技术作为一种新型的掺杂技术,克服了传统热扩散掺杂技术 的缺点,具有高精度的剂量均匀性、加工温度低,重复性好等优点,已在大规模集成 电路制造中得到了广泛的应用。为了控制和提高离子注入后半导体的质量,需要对注 入离子剂量、离子能量、注入深度等工艺参数与半导体的电子输运参数(如载流子寿 命和电扩散系数)的关系进行检测和监控。传统测量电子输运参数的方法主要有开路 电压衰减法(OCVD),二次离子质谱分析法(SIMS)等,但这些方法存在测量时间 长,接触式和非实时性。近年来,人们提出了一种具有无损,快速,灵敏度高等优点 的光生载流子辐射测量技术(PCR)。该方法根据离子注入半导体的结构特性采用“等 效均匀层”理论测量了离子注入半导体的“等效”电子输运参数,但还不能对离子注 入半导体深度方向的不均匀电子输运参数进行有效的分析。本文基于光生载流子辐射 测量技术,针对离子注入半导体中沿深度方向的不均匀性,提出了一种离子注入半导 体电子输运参数的深度轮廓重建技术,从理论和实验上进行了系统研究。在理论上, 本文建立了一个适用于具有深度方向非均匀电子输运性质的光生载流子辐射测量的 多层理论模型。将离子注入半导体中的不均匀部分等分为多层,使得本来连续变化的 电输运参数在每一子层均可以看作是均匀不变的,通过理论推导得到了层与层之间的 递推关系,最终光生载流子辐射(PCR)信号可表示为每一层 PCR 信号的叠加。通 过数值模拟研究了模型的适用条件以及离子注入半导体中各个参数对 PCR 信号的影 响。在实验中,对在不同剂量,不同能量状态下进行离子注入的系列硅半导体晶片进 行了 PCR 信号测量。运用建立的多层理论模型对实验数据进行了多参数拟合,并利 用得到的拟合参数值,成功重建了各晶片中的电子输运参数在不均匀部分的深度轮 廓。 关键词:离子注入,电子输运参数,光生载流子辐射技术,多层模型,多参数拟合, I II II 中文摘要 基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术 深度轮廓重建 作 者:台 锐 指导老师:王钦华 PAGE IV PAGE IV 基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术 英文摘要 Depth-profile reconstruction of electronic properties in ion-implanted semiconductor using photocarrier radiometry Abstract In the doping process of the semiconductor industry, ion implantation method overcomes the drawbacks of thermal diffusion method and is widely used in large scale integration circuit manufacturing due to its following advantages: high uniformity in the implantation dose, low operation tempreture, good repeatability. It is necessary to monitor the relation between the electronic properties (carrier lifetime and diffusivity coefficient) and the implantation processing parameters including the implantation dose,implantation energy and the impl

您可能关注的文档

文档评论(0)

peili2018 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档