指数掺杂结构对透射式GaAs光电阴极量子效率的影响研究-Open.PDF

物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 6 (2011) 067301 指数掺杂结构对透射式GaAs 光电阴极 量子效率的影响研究* 张益军 牛 军 赵 静 邹继军 常本康 ( ， 2 10094 ) 南京理工大学电子工程与光电技术学院 南京 (20 10 7 9 ;20 10 9 23 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 ， GaAs 通过在一维连续性方程光电子产生函数项中加入短波约束因子 修正了指数掺杂和均匀掺杂透射式 光 ． 电阴极量子效率公式 利用修正的透射式阴极量子效率公式分别拟合制备的指数掺杂和均匀掺杂透射式阴极量子 ， ． ， ， 效率实验曲线 符合得很好 另外拟合得到的阴极性能参数表明 由于内建电场的作用 指数掺杂阴极的性能要好 ， ． 于均匀掺杂阴极 指数掺杂结构能够明显提高透射式阴极的量子效率 : ， ， ， 关键词 透射式光电阴极 指数掺杂 量子效率 内建电场 PACS :73. 6 1. Ey ，79. 60. Bm ，7 1. 20. Mq ［10 ，11］ 结构 ． ， 这种结构采用变浓度掺杂方法 即发射 1. 引 言 层材料体内到发射表面掺杂浓度由高到低掺杂， 不同掺杂浓度区域交界处将产生一个内建电场， 负电子亲和势 GaAs 光电阴极由于其量子效 ， 该电场有利于受激发电子向表面运动 提高阴极 、 、 ． GaAs 率高 暗发射小 发射电子能量和角度分布集中等 的量子效率 这在反射式 光电阴极应用中得 ， ． 优点 在微光夜视器件和自旋极化电子源等领域 到了证实 为了弄清变浓度掺杂结构对透射式阴 ［1— 4］ 获得了广泛的应用 ． 光电阴极按照工作方式