漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制-电子学报.PDF

第 2 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 29 　No . 2 　2001 年 2 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Feb . 　2001 　 漂移区为线性掺杂的高压薄膜 SOI 器件的研制 1 1 2 2 张盛东 ,韩汝琦 ,Tommy Lai ,Johnny Sin ( 1 北京大学微电子学研究所 ,北京 100871 ;2 香港科技大学电机电子工程系 ,香港) μ 　　摘 　要 : 　给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜 SOI 器件的设计原理和方法. 在 Si 膜厚度为 015 m 、隐埋氧化层 μ 厚度为 2 m 的 SOI 硅片上进行了LDMOS 晶体管的制作. 首次对薄膜 SOI 功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂 μ 质浓度梯度的关系进行了实验研究. 通过对漂移区掺杂剂量的优化 ,所制成的漂移区长度为 50 m 的LDMOS 晶体管呈 现了高达 612V 的击穿电压. 关键词 : 　薄膜 SOI ; 高压 ; LDMOS ; 线性掺杂 中图分类号 : 　TN604 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2001) Develop ment of High Volt a ge Thin Film SOI Device with Line arly Dop e d Drift Re gion 1 1 2 2 ZHAN G Shengdong ,HAN Ruqi ,Tommy Lai ,Johnny Sin ( 1Institute of Microelectronics , Peking University , Beij ing 100871, China ; ) 2Dept . of EEE , The Hong Kong University of Science and Technology , China Ab stract : 　Principle and method for designing high voltage thin film SOI devices with linearly doped drift region are given .LD