单片机原理与接口技术22.pptVIP

2.4.2 端口的内部结构与运作 1.P0口 2.P1口 3.P2口 4.P3口 ⑴结构与运作 图2.10画出了P0口的某位P0.X（X=0、1…6、7）的结构图。 P0口的位电路结构由以下几个部分组成： 1个输出锁存器，用于进行输出数据的锁存； 2个三态输入缓冲器，分别用于锁存器和引脚数据的输入缓冲； 1个多路开关MUX，它的一个输入来自锁存器，另一个输入是地址/数据信号的反相输出。在控制信号的的控制下能实现对锁存器输出端和地址/数据线之间的切换； 由两只场效应管组成的输出驱动电路。 ⑵ P0口的特点 P0口是一个双功能的端口：地址/数据分时复用口和通用I/O口； 具有高电平、低电平和高阻抗3种状态的I/O端口称为双向I/O端口。P0口作地址/数据总线复用口时，相当于一个真正的双向I/O口。而用作通用I/O口时，由于引脚上需要外接上拉电阻，端口不存在高阻（悬空）状态，此时P0口只是一个准双向口； 为保证引脚上的信号能正确读入，在读入操作前应首先向锁存器写1； 单片机复位后，锁存器自动被置1； 一般情况下，如果P0口已作为地址/数据复用口时，就不能再用作通用I/O口使用； P0口能驱动8个TTL负载。 回上层目录 ⑴ 结构与运作 P1口的位结构如图2.11所示。P1口是一个准双向口，只作通用输入/输出口使用。除了无多路开关MUX之外，其输出驱动部分也与P0口不同 P1口的位电路结构由以下几个部分组成： 一个数据输出锁存器，用于输出数据的锁存； 两个三态输入缓冲器，BUF1用于读锁存器，BUF2用于读引脚； 数据输出驱动电路，由场效应管VT和片内上拉电阻R组成。 ⑵ P1口的特点 P1口由于有内部上拉电阻，没有高阻抗输入状态，所以称为准双向口。作为输出口时，不需要再在片外拉接上拉电阻； P1口读引脚输入时，必须先向锁存器写入1，其原理与P0口相同； P1口能驱动4个TTL负载。 回上层目录 ⑴ 结构与运作 从图2.12中可见，P2口的位结构比P1口多了一个多路开关MUX。 P2口的位电路结构由以下几个部分组成： 一个数据输出锁存器，用于输出数据的锁存； 两个三态输入缓冲器，BUF1用于读锁存器，BUF2用于读引脚； 一个多路开关MUX，它的一个输入来自锁存器的Q端，另一个输入来自内部地址的高8位； 数据输出驱动电路由非门M，场效应管VT和片内上拉电阻R组成。 ⑵ P2口的特点 P2口用作高8位地址输出线应用时，与P0口输出的低8位地址一起构成16位的地址总线，可以寻址64KB地址空间。 当P2口作高8位地址输出口时，其输出锁存器原锁存的内容保持不变。 作为通用I/O口使用时，P2口为准双向口，功能与P1口一样。 P2口能驱动4个TTL负载。 回上层目录 ⑴ 结构组成 P3口是双功能8位输入/输出口，内部结构中增加了第二输入/输出功能，如图2.13所示。 P3口的位电路结构由以下几个部分组成： 一个数据输出锁存器，用于输出数据的锁存； 3个三态输入缓冲器，BUF1用于读锁存器，BUF2、BUF3用于读引脚和 第二功能数据的缓冲输入； 数据输出驱动电路，由与非门M，场效应管VT和片内上拉电阻R组成。 ⑵ P3口的特点 P3口内部有上拉电阻，不存在高阻输入状态，是一个准双向口； P3口作第二功能的输出/输入或作通用输入时，均需将相应的锁存器置1。实际应用中，由于复位后P3口锁存器自动置1，已满足第二功能运作条件，所以可以直接进行第二功能操作； P3口的某位不作为第二功能使用时，则自动处于通用输出/输入口功能，可作为通用输出/输入口使用； 作通用输出/输入口使用时，输入信号取自缓冲器BUF2的输出端，作第二功能使用时，输入信号取自缓冲器BUF3的输出端； P3口能驱动4个TTL负载。 回上层目录 2.5 MCS-51单片机的复位 2.5.1 复位电路 复位操作通常有两种基本形式：上电自动复位、手动按键复位，如图2.14所示。 上电自动复位操作要求接通电源后自动实现复位操作。如下左图所示。 手动按键复位要求在电源接通的条件下，在单片机运行期间，用按钮开关操作使单片机复位，如下右图所示。 在8C051单片机的RST引脚上输入高电平并至少保持两个机器周期（即24个振荡周期）以上时，复位过程即可完成。如果RST引脚持续保持高电平，单片机就处于循环复位状态。 复位电路 2.5.2 单片机的复位状态 1.程序计数器PC初始化为0000H，使单片机从OOOOH单元开始执行程序。在运行中，当单片机的程序受外界因素干扰陷入死循环或跑飞时，为摆脱困境，可将单片机复位，重新启动。 2.复位也可使单片机退出低功耗工作方式而进入正常工作状态。 3.单片机复