钾镁交替掺杂BST薄膜相结构特征及介电性能研究-电子科学与技术专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地 方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘要 摘 要 钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3, BST)铁电薄膜作为新一代微波调谐材料，具有广阔的 应用空间和重要的研究意义。本论文主要研究钾(K)镁(Mg)交替掺杂对 BST 薄膜相 结构特征及介电性能的影响。采用改进的溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备 K 掺杂、Mg 掺 杂、K/Mg 交替及 Mg/K 交替掺杂 BST 薄膜，首先利用 XRD 研究薄膜的相结构， 并对薄膜铁电-顺电相变温度进行探索研究，然后对不同掺杂浓度薄膜的表面化学 态和表面形貌进行对比研究，最后围绕交替掺杂对介电常数、调谐率、优质因子 等介电性能参数的影响进行分析，建立其与相结构的关系，主要研究结果如下： 1. 研究钾镁交替掺杂 BST 薄膜的相结构特征。结果表明：钾镁单一及交替掺 杂均有助于薄膜形成钙钛矿结构，使钙钛矿(110)特征峰强度变大。衍射峰峰位向 2θ 角减小方向偏移，晶格常数变大，半高宽展宽，对应更小的晶粒尺寸和介电损耗。 掺杂 K 时，K+主要进入 A 位替代 Sr2+；掺杂 Mg 时，Mg2+主要进入 B 位替代 Ti4+。 介温特性测试表明：与未掺杂相比，钾镁单一和交替掺杂均使薄膜表现出良好的 温度特性，其中交替掺杂效果更佳。在-50~100?C 范围内薄膜未出现明显的铁电- 顺电相变现象，介电常数变化平稳。 2. XPS、SEM 及 AFM 分析表明，钾镁交替掺杂在促进薄膜钙钛矿结构形成和 降低介电损耗等方面与单一掺杂相比优势明显。交替掺杂后，薄膜光滑致密、无 缩孔，具有明显优势，通过介电性能的测试可进一步得到验证。 3. 对不同掺杂方式、不同掺杂浓度、不同测试频率下 BST 薄膜的介电性能进 行研究，钾镁交替掺杂薄膜兼有 K 掺杂的高调谐率和 Mg 掺杂的低损耗，综合优 势明显。其中，K/Mg 交替掺杂 10mol%时，介电常数适中，在-40~40V 范围内损 耗不高于 0.011，调谐率为 50%，优质因子达到 55.6，具有优异的综合介电性能， 与相应的结构相对应。此外，6 层钾镁交替掺杂 BST 薄膜的相结构特征和介电性 能受第一层掺杂元素影响较大，表现出良好的频率稳定性。 关键词：交替掺杂，钛酸锶钡薄膜，相结构，介电性能 I ABSTRACT ABSTRACT Barium strontium titanate ferroelectric film (Ba0.6Sr0.4TiO3, BST) is a new generation of microwave tuning material, which has a broad application and important research significance. The effect of phase structure characteristics and dielectric properties of alternately potassium (K) and magnesium (Mg) doping BST films were focused on in this paper. The K doping, Mg doping, K/Mg alternately and Mg/K alternately doping BST films were prepared by the improved sol-gel mothod. The phase structure was analyzed by XRD, and the research of the ferroelectric-paraelectric temperature was done. Then, the surface chemistry state and surface morphology of differ