犐犌犣犗犜犉犜与犣状犗犜犉犜的性能比较-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２６ ２ Ｖｏｌ．２６Ｎｏ．２ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２０１１ ４ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａ ｒ．２０１１ ｑ ｙ ｐ ｙ ｐ 文章编号： （ ） １００７２７８０２０１１０２０１４７０７ 与 的性能比较 犐犌犣犗犜犉犜 犣狀犗犜犉犜 吴为敬，颜 骏，许志平，赖志成 　 （华南理工大学 材料科学与工程学院，广东 广州 ， ： ） ５１０６４１Ｅｍａｉｌｗｕｗ ｓｃｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ 　 ＠ ｊ 摘 要：分析比较了 与 的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明： 薄膜 ＺｎＯＴＦＴ ＩＧＺＯＴＦＴ ＺｎＯ 　 与 薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率；在同等制备条件下， 器件的场效应 ＩＧＺＯ ＩＧＺＯＴＦＴ 迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于 ＺｎＯＴＦＴ；二者都有着较低的泄漏电 流，并且差别很小。另外， 在正负偏压下阈值电压都有漂移，而 在正偏压下阈值电压漂 ＺｎＯＴＦＴ ＩＧＺＯＴＦＴ 移比 的小且在负偏压下阈值电压没有漂移，由此可见 比 有着更好的稳定性。 ＺｎＯＴＦＴ ＩＧＺＯＴＦＴ ＺｎＯＴＦＴ 总之， 薄膜比 薄膜更适合作为下一代 的有源层材料。 ＩＧＺＯ ＺｎＯ ＴＦＴ 关 键 词： ； ；性能比较；光电特性；阈值电压漂移 ＺｎＯＴＦＴＩＧＺＯＴＦＴ 　 　 中图分类号： ＋ 文献标识码： ： ／ ＴＮ３２１．５ Ａ 犇犗犐 １０．３７８８ＹＪＹＸ０１４７ 　　　 　　　 犘狉狅犲狉狋犆狅犿 犪狉犻狊狅狀犅犲狋狑犲犲狀犐犌犣犗犜犉犜犪狀犱犣狀犗犜犉犜 狆 狔 狆 ， ， ， ＷＵＷｅｉｉｎ ＹＡＮＪｕｎＸＵＺｈ