使用Rietveld法探讨基板温度对p-ZnO微结构与物性之影响.PDF

使用 Rietveld 法探討基板溫度對 p-ZnO微結構與物性之影響 * 1 1 2 3 黃家城 汪芳興 黃宏欣 楊證富 1 2 3 中興大學電機工程學系所 正修科技大學電機工程學系與化工與材料工程系 高雄大學化學工程及材料工程學系 1 2 3 台中市 40227 南區國光路250號 高雄縣 83347鳥松鄉澄清路 840號 高雄市 81148 楠梓區高雄大學路 700號 本研究是利用噴霧熱裂解法於玻璃基板上製備 p-ZnO 薄膜，探討基板溫度在200 至 350 °C間沉積的 ZnO 薄膜 其微結構對物性之影響。由 XRD 繞射分析顯示薄膜結構為纖鋅礦六方相，繞射峰以(100) 、(002)及 (101)為主， 而且隨著基板溫度之升高，(002)面之擇優取向程度漸增。 p-ZnO 薄膜之晶格常數、原子位置和 Zn-O 鍵長由 Rietveld 精算法精算出。在 250 °C時所製備成之試片有穩定之片電阻。 PL 光譜在442 nm有最強的峰值。 關鍵字：噴霧熱裂解法、 Rietveld 精算法、氧化鋅、結構 1. 前言 PL , Triax 320 , Horiba Jobin Yvon , France)觀察激發光波長。 在光儲存媒介上，目前的主流是藍光雷射，但是隨著儲 存容量的增加，下一個世代的雷射光源是紫外光 (Ultraviolet, 3. 結果與討論 UV)雷射，在文獻中也提到氧化鋅可發出 UV ，因此也被運 如Table 1是由 Rietveld法經算出的三個參考指標值，從 用來製作 UV 雷射或 UV LED 。 目前有關於沉積氧化鋅薄膜的方式，有噴霧熱解法 表中可看出，Rietveld精算所要求的相關收斂參考值，Rwp 必 須在 0.2(20％) 以內始可採用，若在0.1(10％) 以內則代表精算 (Spray Pyrolysis)[1] 、有機金屬化學氣相沉積法(Metal 結果相當良好，而 R值可達 0.05(5％) ，若在0.1(10％) 以內則 Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)[2-4] 、電子槍 p 代表精算結果相當良好； 的值若為S 1 ，表示已經精算到達最 蒸鍍法(Electron Beam Evaporation)[5] 、交直流射頻磁控濺鍍 好，但若在1.3或更小，一般認為亦已精算得相當良好；而 法(RF AC/DC Magnetron Sputtering)[6-8] 、脈衝雷射沉積法 在本實驗中所精算的結果都達到非常良好的程度。 (Pulsed Laser Deposition, PLD)[9,10] 、熱氧化法(Thermal 在不同基板溫度下所製備之 Z