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OBSVθP图1例1、一个负离子,质量为m,电量大小为q,以速率V垂直于屏S经过小孔O射入存在着匀强磁场的真空室中(如图1).
O
B
S
V
θ
P
图1
(1)求离子进入磁场后到达屏S上时的位置与O点的距离.
(2)如果离子进入磁场后经过时间t到达位置P,
证明:直线OP与离子入射方向之间的夹角θ跟t的关系是。
OBSVθP图2O/α解析:
O
B
S
V
θ
P
图2
O/
α
,解得
如图2所示,离了回到屏S上的位置A与O点的距离为:AO=2r
所以
(2)当离子到位置P时,圆心角(见图2):
因为,所以.
llr1OV+qV图6例2.长为L的水平极板间,有垂直纸面向内的匀强磁场,如图6所示,磁感强度为B
l
l
r1
O
V
+q
V
图6
A.使粒子的速度VBqL/4m;
B.使粒子的速度V5BqL/4m;
C.使粒子的速度VBqL/m;
D.使粒子速度BqL/4mV5BqL/4m。
解析:由左手定则判得粒子在磁场中间向上偏,而作匀速圆周运动,很明显,圆周运动的半径大于某值r1时粒子可以从极板右边穿出,而半径小于某值r2时粒子可从极板的左边穿出,现在问题归结为求粒子能在右边穿出时r的最小值r1以及粒子在左边穿出时r的最大值r2,由几何知识得:
粒子擦着板从右边穿出时,圆心在O点,有:
r12=L2+(r1-L/2)2得r1=5L
又由于r1=mV1/Bq得V1=5BqL/4m,∴V5BqL/4
粒子擦着上板从左边穿出时,圆心在O'点,有r2=L/4,又由r2=mV2/Bq=L/4得V2=BqL/4
∴V2BqL/4m
综上可得正确
例3.如图,匀强磁场的磁感应强度为B,方向竖直向下。在磁场中有一个边长为L的正方形刚性金属框。ab边质量为m,其他三边的质量不计。金属框的总电阻为R,cd边上装有固定的水平轴。现在将金属框从水平位置由静止释放。不计一切摩擦。金属框经t时间恰好通过竖直位置a′b′cd。若在此t时间内,金属框中产生的焦耳热为Q,求ab边通过最低位置时受到的安培力。
【分析】本题线框释放后重力做功,同时ab边切割磁感线运动而产生感应电动势,因而线框中有感应电流。整个过程遵守能的转化与守恒定律。
【解答】由能量守恒,在t时间内ab杆重力势能的减少最后转化为它的动能和框中产生的焦耳热,即
又考虑到
由①、②、③
例4.固定在匀强磁场中的正方形导线框abcd各边长为L,其中ab是一段电阻为R的均匀电阻丝,其余三边均为电阻可以忽略的铜线,磁感应强度为B,方向垂直纸面向里,现有一段与ab完全相同的电阻丝PQ架在导线框上(如图l所示),以恒定的速度v从ad滑向bc,当PQ滑过L/3的距离时,通过aP段电阻丝的电流强度是多大?方向?
【分析】PQ在磁场中切割磁感线运动产生感应电动势,由于是回路,故电路中有感应电流,可将电阻丝PQ视为有内阻的电源,电阻丝
【解答】电源电动势为ε=BvL,外电阻为
例5. 如图,在水平放置的无限长U形金属框架中,串一电容量为C的电容器,整个装置处于竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度为B。电容器开始时带电量为Q(正负情况如图所示),现将一根长为l,质量为m的金属棒ab搁置在框架上,金属棒ab与框架接触良好且无摩擦,求合上k以后,ab棒的最终速度及电容器最终还剩的电量.
【分析】 k合上后,电容器将放电,金属棒ab将在安培力作用下加速向右运动,随着电容器电量减少及ab中的感应电动势增大,回路电流将减小,所以ab棒作加速度不断变小的加速运动,最终趋于匀速运运。
【解答】 此时由于回路中无电流,必然有
【说明】 很多人在解本题时往往认为电容器的带电将全部放完而导致错误,而事实上由于导体棒在切割磁感线过程将产生感应电动势,电容器的带电将无法完全放掉。
例6. 如图1所示,U形导体框架宽L=1m,与水平面成α=30°角倾斜放置在匀强磁场中,磁感应强度B=0.2T,垂直框面向上.在框架上垂直框边放有一根质量m=0.2kg、有效电阻R=0.1Ω的导体棒ab,从静止起沿框架无摩擦下滑,设框架电阻不计,框边有足够长,取g=10m/s2,求
(1)ab棒下滑的最大速度vm;
(2)在最大速度时,ab棒上释放的电功率。
【分析】 ab棒在重力分力mgsinα作用下沿框面加速下滑,切割磁感线产生感应电动势,并形成感应电流,其方向从b流向a.从而使ab棒受到磁场力FB作用,其方向沿框面向上,形成对下滑运动的阻碍作用.可表示为
可见,ab棒下滑时做变加速运动,随着下滑速度v的增大,加速度逐渐减小,当ab棒下滑的速度增至某一值时,mgsinα=FB,a=0,以后即保持该速度匀速下滑,所以ab棒匀
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