异质结PIN二极管MMICRF开关-化合物半导体.PDFVIP

封面故事 | Cover Story - MMIC 异质结 PIN 二极管 MMIC RF 开关 自 2003 年 MACOM 公司发明了具有 AlGaAs 层的 GaAs 砷化镓 PIN 二极管、之后 获得相应的专利并成功完成其研制。增加的 AlGaAs 层作为阳极和 / 或阴极，使所形 成的异质结二极管有较低的正向偏置射频电阻，而没有改变反向偏置电容。通过加入 AlGaAs 层，GaAs PIN 二极管单片集成电路的电气性能和热耗散性能都被验证有显 著提高，例如在单片开关芯片产品的设计实现上。 James J. Brogle ，高级主任工程师，MACOM 多应用市场事业部 和所有的工程领域一样，微波工程中很少有 度，串联- 并联二极管对可以证明将对两个参数 技术上的显著改善，而不存在一些负面的 都有所改进。首次报道时，单串联二极管将插入 权衡。MACOM 在十多年前首次报道了AlGaAs/ 损耗降低了27 ％，而没有改变隔离度，而集成 GaAs 异质结PIN 二极管。第一次采用传统上用 的串联- 并联单刀三掷（SP3T）开关将插入损耗 于三端晶体管结构（例如HBT 和pHEMT ）的带 改善了20 ％。由于二极管电阻较低，1dB 压缩点 隙工程技术用于二极管（在此之前，这些二极管 （P1dB ）和三阶互调点（IP3 ）也有改善。 毫无例外都是用单晶同质结元素和化合物半导体 结果是，Macom 公司研发出了一系列宽带 例如Ge ，Si ，SiGe ，砷化镓（GaAs ），磷化铟（InP ） 单刀多掷AlGaAs PIN 二极管开关单片芯片，相 等的半导体工艺制程），以形成具有降低的RF 电 比之前对应的GaAs 开关单片相比，功率能力提 阻（R ）以及结电容（C ）不变的PIN 二极管。 高显著。串联- 并联，全串联和全并联设计都表 S T 在现有的GaAs PIN 二极管MMIC 工艺中实现了 现出了低插入损耗和高隔离度。在一个新型的宽 这种异质结二极管，其截面如图 1 所示。 带SP3T 开关设计中，由于串联二极管的低插入 人们已经认识并证明，减小的正向电阻和不 损耗，使其结温降低，进而使功率能力增加了 变的反向电容可以提高各种PIN 二极管高频电路 50 ％（+1.8dB ），在+25 ℃的基板温度下提高到 的性能，特别是在开关电路中。串联二极管将表 +26dBm 。 现出降低的插入损耗和相同的隔离度特性，而并 全并联SP2T 单片设计，该工艺结构改进已 联二极管则表现出相同的插入损耗和增加的隔离 经实现了功率更高的Ku 和Ka 波段开关，能够在 +85 ℃的基板温度条件下具有超过连续波10W 的 功率能力。在35GHz 时小信号的插入损耗仅为 0.78dB ，在8.4W 时仅压缩0.14dB 。29GHz ，当 基板温度为+85 ℃时，输入功率为连续波13W 的 情况下热成像显示+150 ℃的结温，在此结温下， 该芯片的可靠性为大于百万小时的MTTF 寿命。 新型结构的进一步研发实现了更高功率的全 图1. MACOM PIN二极管M