第5章 金属和半导体的接触 《半导体物理学简明教程》课件.pptVIP

第五章 金属和半导体的接触 5.1金属?半导体接触及其平衡态 5.1.1 金属和半导体的功函数 5.1.2 有功函数差的金-半接触 5.1.3 表面态对接触电势差的影响 5.1.4 欧姆接触 5.2 金属?半导体接触的非平衡状态 5.2.1 不同偏置状态下的肖特基势垒 5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 5.2.3 厚势垒区金属?半导体接触的伏安特性 5.2.4 薄势垒区金属?半导体接触的伏安特性 5.2.5 金?半接触的少子注入问题 5.2.6 非平衡态肖特基势垒接触的特点及其应用 金属－半导体接触 金－半接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一，并且最早付诸应用： 1874年，德国物理学家布劳恩发现金属探针与PbS和FeS2晶体的接触具有不对称的伏安特性； 1876年，英国物理学家亚当斯发现光照能使金属探针与Se的点接触产生电动势； 1883年，福里茨发现金属探针与Se的点接触的整流特性； 金属－半导体接触 1904年，美国电气工程师鲍斯获得Si和PbS点接触整流器的专利权 1906年，美国电气工程师皮卡德获得点接触晶体检波器的专利权，这种器件是晶体检波接收机（即矿石收音机）的关键部件； 1920年，硒（Se）金－半接触整流器投入应用； 1926年，Cu2O点接触整流二极管问世，并在二战中应用于雷达检波。 第五章 金属和半导体的接触 5.1金属?半导体接触及其平衡