从基元过程到探索高能效和高活性光催化剂的新思路.pptVIP

* 半导体的光催化技术有良好的应用前景，然而目前实际应用的TiO2光催化剂的可见光利用率低，光生载流子的复合率很高，导致量子效率低的缺陷制约了该技术的广泛应用。如何提高光催化剂的催化性能以使该技术在经济上能为人们所接受是目前国际光催化领域的研究焦点之一。 1. 1 研究和合成新型半导体材料 现在研究主要集中在两个方面。 一是对原有的光催化剂特别是TiO2进行纳米化，如纳米结构（纳米晶、纳米线、纳米管、纳米薄膜、介孔结构等）以及改性研究。 提高部分光催化活性 提高光催化效能 改性 纳米化 × 二是开发新型的光催化剂，从简单氧化物到复杂氧化物，如钽酸盐、铌酸盐、钒酸盐、钨酸盐、钼酸盐等。这些主要是d区过渡金属的化合物。 最近研究表明，p区化合物也具有良好的光催化活性，如铋酸盐CaBi2O4，非金属含氧酸盐BiPO4等。 一些钨酸盐具有很好的光催化性，因此研究钨酸盐的光催化活性对探索新型、高效的光催化剂具有一定的意义。 1.2 掺杂和界面复合结构对电荷分离、迁移和能带结构影响-调控作用 半导体的能带结构强烈的影响其光催化性能，直接影响其禁带宽度、载流子的分离效果等，因此对其进行有效调控很重要。目前主要对半导体进行阴离子掺杂和界面复合。 手 段 U V - D R S L R S U P S X A N E F S X R D L R S X P S 半导体掺杂不同金属离子引起的变化不同，可能增强半导体的光催化作用，还可能使半导体的吸收波长范围扩展至可见光区域。 目前对能带有调控作用的阳离子主要稀土离子、过渡金属离子。 掺杂量是影响光催化活性的重要因素。 半导体中掺杂非金属同样影响半导体的光催化活性，主要是导带的变化不同。 用TiS2煅烧制备掺S的TiO2，在TiO2晶格中，S原子取代O原子形成Ti-S键可以使得TiO2的吸收波段红移，影响可见光。 将Ti金属在天然气中燃烧使得C取代O进入TiO2晶格，这一改性使TiO2的带隙宽度变为2.32eV，可以影响535nm以下的可见光，降解水的转化率可达11%。 1.3 晶体结构与缺陷作用 锐钛型Ti-Ti键距（3.79?3.04?）比金红石型（3.57?,2.96?）的大，Ti-O 键距（1.934?,1.98?）小于金红石型（1.949?,1.980?） 金红石型中的每个八面体与周围10个八面体相连（两个共边，八个共角），锐钛型中的每个八面体与周围8个八面体相连（四个共边，四个共角）。 结构性差异导致两种晶型有不同的质量密度和电子能带结构。 除晶体结构外，缺陷对电荷-空穴的产 生、分离、迁移以及光吸收性能也均 有影响。 Salvador等人发现有缺陷的金红 石 石型TiO2（001） 晶面上水的光解过 解过程反应速率常数要高于无缺 陷 陷的4倍。 1.4 表面修饰与杂化作用 如果可以在光催化剂表面形成合适的电子相互作用，便有可能改进光催化剂表面的光生电荷的分离，进而提高光催化效率。 可以将石墨材料与光催化剂复合，并在 界面形成相互作用，可促进光生电荷-空 穴的分离。石墨/TiO2、聚苯胺/TiO2、富 勒烯/TiO2均有利于光生电子空穴的分离， 提高催化活性。 以石墨/TiO2为例，如图所示。 *