金属、半导体高密勒指数表面：表面能和电子结构-凝聚态物理专业论文.docxVIP

论文题目：金属：坐昱佳直蜜勤指数盎面；麦亘宜塞塑电王结掏物堡王程堂院(系) 论文题目：金属：坐昱佳直蜜勤指数盎面；麦亘宜塞塑电王结掏 物堡王程堂院(系) 趟鐾查物堡专业 2002届研究生 煎鱼指导教师蕉整±瞳± 中文摘要 金属和半导体材料的高密勒指数表面是目前表面科学研究的一个热点问题， 也是值得更进一步研究的问题，目前的研究主要集中在对表面几何结构的确定， 而对表面电子特性的认识几乎很少涉及，本文根据目前实验上对一些表面已有的 研究结果，在理论上对一些金属、半导体的高密勒指数表面的表面能和表面电子 结构进行了研究。得到了如下一些结论： 1．金属表面的表面能的计算 基于半经验嵌入原子势(EAM)的分子动力学方法，对Al、Cu、Ni三种金属 位于[001]晶带和[-110]晶带的高密勒指数表面的表面能进行了分子动力学模拟 计算，计算结果同已有的实验结果相符合。在此基础上，提出了基于表面结构单 元模型的[001]晶带和[·110]晶带表面能的经验计算公式。公式计算结果和采用分 子动力学模拟结果一致。利用此式，可以通过两个低密勒指数表面的表面能精确 值，较准确地估计对应晶带上任意一个高密勒指数表面的表面能。最后，我们探 讨了一系列高指数表面的表面能随温度的变化关系。 2．半导体材料GaAs高密勒指数表面电子特性的理论研究 采用散射理论方法计算了m．V族半导体GaAs的一些高密勒指数表面的电 子结构特性，结果如下：(1)III—V族半导体(112)在基本带隙内普遍都有四条 表面态，分别对应于三个悬挂键态和一个桥键态；理想的III—V族半导体(112) 表面原子满足阴离子的悬挂键全部填满，阳离子的悬挂键全空；(2)对GaAs(1131 表面的研究表明：理想截断的GaAs(113)A表面电子结构特征主要表现为在基本 带隙内有三条主要的表面态存在；对IBA制备的稳定的(1×1)计算结果表明： 相对于理想的Ga原子位置截断，桥位模型的电子结构特征只是在相应能级位置 上发生了移动，没有任何新的表面态产生，和已有的实验结果比较差别较大，而 空位模墅的计算络莱较好耱符台了嚣有的蜜验结栗，我稻认为，空位模鍪楚符合 空位模墅的计算络莱较好耱符台了嚣有的蜜验结栗，我稻认为，空位模鍪楚符合 实际的。同时在此基础上，我们预裔了表面可能存在有一定占据的阳离子悬键态 存在，这～点解释了实验中测量到在价带以上有弱的袭面峰现象。(3)对 GaAs(1 14)表面的计算表霞表明：不论是A类或者是B类表面，理想情况下表面 7祭主要的表面态存在。理想截断的表面袭现为金属特性。表面重构后，形成三 令dimer键，表露联骞豹稿离子悬挂键填满，弭离予全窒；嚣能骧为O．7eV发右； 表现为半母体特征。但在撼本带隙中，仍有表面态存在，释构不能完全赶走带隙 中瓣表瑟悫。(4)对理想豹GaAs(2 5 11)表覆，在基本豢滚肉豹袭瑟态主要楚 在三个能艇范围内，能区熬本处在，0．1eV～0，0eV，0．9eV 1．0eV和1．4eV 1．6eV 的区闻内。这些态对应予表面悬挂键态和蒋自键态。再构露，不考虑表面艨子酶 驰豫变化，GaAs(2 5 1 1)表面表颟态的变化主要表现在O．9eV 1．0eV的～些表 面态完全消失。根据电子数目规则，我们断定处在．0．1eV～0．1eV的表面态为全 部填潢的妖离子悬挂键态或者为原予再构惹弓l起的As-As dimer键态，褥处在 1．4eV～1．6eV的表面态为阳离子空的悬挂键态。 在戴鏊疆土，我髓对计算结果葶羹嚣羲憋骞戆低密羲豢数表嚣恕予特缝熬诗算 结果作了比较研究，同时对表面的稳定机制作了尝试性的探讨。 3．箕佳工律 除此之外，论文还对铅盐PbTe、PbSe、PbS(001)袭面电子结构，YBCO 超导体表黼氧特幢、金属弧和Ni在金刚石表面的吸附和扩散等特性进行了研究。 锝到了一腆有意义的结果，比如，对PbTe、PbSe、PbS(001)表蔺的几何结构 和表面电子结构的研究表明，表面原予出现褶皱现象，同时PbTe(001)寝面和 Pbs(ooo表嚣具有不网方式熬振荡骢豫。在表嚣毫予结均特惩方囊，与lI{。v族 和II-VI族化合物不同，熬本带隙中不引入表面态，而在婵带顶和价带底附近以 及筵深能缀中出褒表嚣态藏表垂共振态等。 关键词：离密赣耩数标露，表面麓，表面缭祷；分予动力掌，散射穗论方法，密度 泛函理论，表面态，表面共振态 PACC：6820；6840；6188；7320。 差| TITLE：THE TITLE：THE PROPERTIES OF HIGH MILLER INDEX SURFACE OF METALS AND SEMICONDUCTORS：SURFACE ENERGYAND ELECTRONIC STRUCTURE Sch