晶核预控制的多晶硅薄膜晶化技术研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

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  • 2019-02-26 发布于上海
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晶核预控制的多晶硅薄膜晶化技术研究-材料物理与化学专业论文.docx

原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在两位导师指导下,在南开大学以合 作培养方式、为完成南开大学国家自然科学基金项目所进行研究工作所取得的成果, 其成果属南开大学所有。除文中已经注明引用的内容外,本学位论文不包含任何他人 或集体已经发表的作品内容,也不包含本人为获得其他学位而使用过的材料。对本论 文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人或集体,均已在文中以明确方式标明。本学 位论文原创性声明的法律责任由本人承担 学位论文作者签名: 日期: 关于学位论文版权使用授权的说明 本人完全了解河北工业大学关于收集、保存、使用学位论文的以下规定:河北工 业大学和南开大学有权采用影印、缩印、扫描、数字化或其它手段保存论文;但涉及 南开大学专利部分,河北工业大学将尊重南开大学知识产权予以保密,学校有权将本 学位论文中不涉及专利的部分内容提供阅览服务及编入有关数据库进行检索、交流; 学校对不涉及专利的部分可向国家有关部门或者机构送交论文的复印件和电子版。 (保密的学位论文在解密后适用本授权说明) 学位论文作者签名: 日期: 导 师 签 名: 日期: 河北 河北工业大学硕士学位论文 晶核 晶核预控制的多晶硅薄膜晶化技术研究 i i ii ii 晶核预控制的多晶硅薄膜晶化技术研究 摘要 固相晶化法制备多晶硅薄膜技术具有大面积制备、可大批量处理、易于形成生产 线等优点,因此它成为一种很具优势的多晶硅晶化技术。但是,这种晶化方法加热温 度过高(一般大于 600℃),时间过长(24 小时以上),不仅降低了生产率,而且衬底材 料的选择也受到了很大限制。因此,探索新颖有效的方法以达到缩短其晶化时间,降 低晶化温度,同时提高晶化质量的目的具有十分重要的研究价值。本文提出了多晶硅 薄膜新型固相晶化技术,在晶化过程中对晶核预控制处理,降低晶化温度,缩短晶化 时间,提高晶化质量,以期贯通工艺流程,逐步优化工艺条件。其主要成果如下: 首先,研究了氢等离子体辅助诱导晶化多晶硅薄膜,分析讨论了不同气压、功率 以及氢等离子体作用时间对晶化的影响。实验发现:晶化后多晶硅薄膜的晶化率随气 压先增大后减小,在 100Pa 压力下呈现明显的峰值;多晶硅薄膜晶化率随功率、作用 时间呈现同样先增后减趋势;通过这三组参数的分析讨论,得到氢等离子体辅助晶化 多晶硅薄膜的最佳工艺窗口为:氢等离子体气压 100Pa ,功率 80W( 功率密 度 0.064W/cm2),作用时间 30min。 其次,研究了沉积气压、功率、沉积温度对非晶硅薄膜微结构以及沉积速率的影 响。本系列实验主要通过拉曼散射谱中 TA 与 TO 峰强度的比值变化,分析讨论了不 同工艺条件下非晶硅薄膜的无序态,同时为晶化前驱物对固相晶化影响的研究奠定了 基础。 最后,在分析研究晶化前驱物微结构无序态的基础上,研究了晶化前驱物对固相 晶化的影响。通过分析发现:随着 TA 与 TO 峰强度比值的减小,非晶硅薄膜微结构 有序态逐渐优化,薄膜在晶化过程中更易成核,晶化后多晶硅薄膜的 TO 模主峰位向 高波数方向移动,逐渐靠近表征晶体硅的 520cm-1 晶相峰,多晶硅薄膜的晶化率逐渐 提高,晶化效果变佳。 关键词:多晶硅薄膜、固相晶化、晶核预控制、氢等离子体、晶化前驱物 INVESTIGATION ON POLY-SI THIN FILM FABRICATED BY NUCLEI PRE-CONTROLED CRYSTALLIZATION ABSTRACT Poly-Si thin film crystallized by solid-phase crystallization (SPC) has the advantages of large area production, fittness for production lines. Hence, it has become a superior Poly-Si fabrication technology in the industrial application. However, this technology needs high temperature (generally higher than 600℃) and long time (24 hours or more). These disadvantages lead to low yield and restrict the choice of substrate materials. Therefore, it is very important to explore

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