微机原理与汇语言第3章.ppt

第3章半导体存储器及其接口 3.1存储器种类与特性 3.1.1存储器的分类 存储器是组成计算机系统的重要部件，决定着系统的性能，计算机系统中所用的存储器可以根据存储元件的性能、介质和地位的不同进行分类。 1．按存储所处的地位分 （1）内部寄存器组 （2）主存储器 （3）辅助存储器 （4）高速缓冲存储器 2．按存储介质分 （1）半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。它的有关特性将在下节中详细介绍。 （2）磁存储器：用磁性材料组成的存储器。它可分为磁芯存储器和磁表面存储器。现在使用的软盘、硬盘都是利用存储器基质表面的一层磁性介质被磁化后的剩磁状态来记录数据的，故属于磁表面存储器。 （3）光存储器：用光热效应或机械的方法在媒体上存储信息的存储器。根据媒体材料光学性质（如反射率、偏振方向等）的变化来表示所存储的信息，可分为只读型光盘、一次写入型光盘和可读写型光盘。 3.2　8086的存储器组织 存储器内两个连续的字节，定义为一个字。一个字中的每个字节，都有一个字节地址，每一个字的低字节（低8位）存放在低地址中，高字节（8位）存放在高地址中。字的地址指低字节的地址。各位的编号方法是最低位（LSB）为位0。一个字节中，最高位（MSB）编号为位7；一个字中最高位的编号为位15。这些约定如图3.2所示。 任意相邻的两个段地址相距16个存储单元。段内一个存储单元的地址，可用相对于段起始地址的偏移量来表示，这个偏移量称为段的偏移地址（Offset Address），也称为有效地址EA（Effective Address）。偏移地址也是16位的，所以，一个段最大可以包括一个64KB的存储空间。由于相邻两个段地址只相距16个单元，所以段与段是互相覆盖的，如图3.3所示。 每个存储单元都有一个物理地址（Physical Address），物理地址就是存储单元的实际地址编码。在CPU与存储器之间进行任何信息交换时，需要利用物理地址来查找所需要访问的存储单元。逻辑地址（Logic Address）由段地址和偏移地址两部分组成。段地址和偏移地址都是无符号的16位二进制数，常用4位十六进制数表示。 逻辑地址的表示格式为：段地址：偏移地址。例如2100：0600H表示段地址为2100H，偏移地址为0600H。上述格式中的段地址有时用段寄存器代替。 理解了逻辑地址，不难得出它对应的物理地址为： 　　　　　物理地址＝段地址×10H＋偏移地址 因此2100：0600H的物理地址为21600H。 在访问存储器时，段地址总是由段寄存器提供的。如前所述，8086微处理器的BIU单元内设有4个段寄存器（CS、DS、SS、ES），所以CPU可通过这4个段寄存器来访问4个不同的段。用程序对段寄存器的内容进行修改，可实现访问所有的段。 3.3　半导体存储器 2．按使用属性分 （1）随机存取存储器RAM（Random Access Memory） 随机存取存储器也称随机存储器或读写存储器。顾名思义，对这种存储器，信息可以随时写入或读出。一般的RAM芯片，掉电时，信息将会丢失；但目前有些RAM芯片，内部带有电池，掉电后信息亦不丢失，称为非易失的或“不挥发”的RAM（NVRAM）。微机系统中大量使用MOS型的RAM芯片，根据它的结构和功能，又可分为两种类型。 ? 静态（Static）RAM，即SRAM。 动态（Dynamic）RAM，即DRAM。 3.3.2　随机存取存储器RAM 1．静态MOS存储电路 如下图所示是静态RAM的基本存储电路，它是用来存储1位二进制信息（“0”或“1”），是组成存储器的基础。在基本存储电路中，T1、T3及T2、T4两个NMOS反相交叉耦合组成双稳态触发器电路。其中T3、T4为负载管，T1、T2为反相管，T5、T6为选通管。T1和T2的状态决定了存储的1位二进制信息。这对交叉耦合晶体管的工作状态是：当一个晶体管导通时，另一个就截止；反之亦然。假设T1导通，T2截止时的状态代表“1”；相反的状态即T2导通，T1截止时的状态代表“0”，即A点的电平高低分别代表“0”或“1”。 当行线X和列线Y都为高电平时，开关管T5、T6均导通，该单元被选中，于是便可以对它进行读或写操作。 读操作：被选中的存储单元的行选择线为高电平，使开关T5、T6导通。若设定两边列选择线的负载是平衡的，则A与B两点的电位就通过T5、T6传送到列选择线上，即被读出。 写操作：被选中的存储单元的行选择线为高电平，使开关T5、T6导通。写“1”时，列选择线1上加低电压，列选择线2上加高电压，迫使T1管导通，A点为低电位，T2管截止，B点为高电位，触发器处于“1”状态。