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2019-03-03 发布于江苏
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DMN65D8LW-7;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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DMN65D8LW-7;中文规格书,Datasheet资料

DMN65D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features • Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package T = +25°C • Low Gate Threshold Voltage A • Low Input Capacitance 3Ω @ VGS = 10V 300mA • Fast Switching Speed 60V SOT323 • Small Surface Mount Package 4Ω @ VGS = 5V 260mA • ESD Protected Gate, 1KV (HBM) • Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Description • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability This new generation MOSFET has been designed to minimize the on- state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management Mechanical Data applications.