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2019-03-03 发布于江苏
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DMN3730UFB-7;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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DMN3730UFB-7;中文规格书,Datasheet资料

A Product Line of Diodes Incorporated DMN3730UFB 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits • 0.5mm ultra low profile package for thin application ID 2 V(BR)DSS RDS(on) • 0.6mm package footprint, 10 times smaller than SOT23 T = 25°C A • Low VGS(th), can be driven directly from a battery 460mΩ @ VGS= 4.5V 0.9A • Low RDS(on) 30V • “Lead Free”, RoHS Compliant (Note 1) 560mΩ @ VGS= 2.5V 0.7A • Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 2) • ESD Protected Gate 2kV • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability