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法拉第效应法观测磁晶各向异性 实验目的 1、 了解用偏光显微镜观察磁畴的原理。 2、 磁泡材料的磁性各向异性。 3、利用偏光显微镜观察磁泡薄膜中磁畴随磁场的变化。 实验仪器 直流稳流电源、数字万用表、偏光显微镜 实验原理 1、磁畴的概念 磁畴理论是用量子理论用从微观上说明铁磁质的磁化机理。所谓磁畴，是指磁性材料内部的 一个个小区域，每个区域内部包含大量原子，这些原子的磁矩都象一个个小磁铁那样整齐排列， 但相邻的不同区域Z间原子磁矩排列的方向不同，如图所示。 各个磁畴之间的交界面称为磁畴壁。宏观物体一般总是具有很 多磁畴，这样，磁畴的磁矩方向各不相同，结果相互抵消，矢 量和为零，整个物体的磁矩为零，它也就不能吸引其它磁性材 料。也就是说磁性材料在正常情况下并不对外显示磁性。只有 当磁性材料被磁化以后，它才能对外显示出磁性。 在某些磁性石榴石单晶薄膜中，垂直于膜面的方向是易磁化方向，且满足条件1132 Ms ,其中U 是单轴磁晶各向异性常数，Ms是饱和磁化强度，即磁畴的磁化在易磁化方向时能量最低。用偏光显微镜 垂直于膜面观察，可以清楚地看到膜屮磁畴的形状。在退磁状态下呈弯弯曲曲的条状磁畴。大约一半的磁 畴磁化方向垂直于膜面向上，另一半垂直于膜面向下。垂直于膜面方向加一向上的外磁场，逐渐增加磁 场强度。外磁场使磁化力向向上的磁畴逐渐扩张，使磁化力向向下的磁畴逐渐缩小。当外磁场增加到某 -定稈度吋，磁化方向向下的磁畴便缩成圆柱状。这些圆柱状的磁畴在用偏光显微镜垂直于膜面方向观 察时呈圆形，运动起来很像一群浮在水面上的小水泡，故被称为磁泡或磁泡畴。 2、法拉第效应法观察磁畴的原理 平面偏振光经铁磁物质透射，偏振面会旋转一个角度，这种现象称为法拉第效应。由于各个磁畴的 磁化方向不同，各磁畴透射光线后，偏振面的旋转角也不同。也就是说，透过样品之前偏振光只有一 个偏振面，透过不同的磁畴后，就形成了不同的偏振面。通过调整检偏器角度，可以使其屮一个偏振面 对应的光处于消光状态，其他偏振而对应的光则处于非消光状态。因而在目镜观察时，各磁畴对应的光 强就有所不同。 3、石榴石磁泡材料及其特点 20世纪60年代后期到80年代后期，由于研制计算机磁泡存储器和布络赫线存储器的需要，石榴石 磁泡膜研究受到广泛重视。在这种几微米厚的亚铁磁性薄膜中有两种磁畴，磁化方向垂至于膜面反平行 排列，在偏光显微镜下可以看到十分清晰的磁畴。实验中常使用的石榴石磁泡材料成分为 (YSmCa)3(FeGe)5O12? 实验内容 1、 按附录中的仪器操作方法调节好仪器各部分。 2、 观察石榴石磁泡材料的磁性各向异性。 ［1111品向。实验样品的易磁化方向是垂直于样品膜面的方向，即［111］晶向，沿该方向加4kA/m 的磁场，样品即可饱和磁化；饱和磁化后磁场降回0时，样品的磁畴称为迷宫畴，如图1所示： 图1 图1迷宫畴，［111］晶向剩磁态畴形 ［1 10］和［2 11］晶向。［1 10］和［2 11］晶向在样品膜面内,沿［1 10］方向饱和磁化所需磁场幅度 最大,为54 kA/m；沿［2 11］方向饱和磁化所需磁场幅度为膜面内的最小值,为44 kA/m,仍远大于［111］ 方向的4 kA/m。沿［1 10］和［2 11］品向饱和磁化后，磁场降到0时，样品的剩磁态畴形如图2和图3所 zKo 图2 ［1 10］ 图2 ［1 10］方向剩磁态畴形 3、观察磁泡畴的产生和测量泡径直径do 形核场和切泡场的确定：在偏光显微镜中看到清晰的迷宫畴后，增加直流偏场(即沿 [111]品向的磁场)Hh,可以看到一种磁畴变宽，另一种磁畴变窄，直至窄畴全部消失，即样品饱和磁 化，这时所有磁畴的磁化方向都转变为与外磁场方向相同。图示如下： 图4直流偏磁场耳增大时磁畴的变化 从饱和磁化状态再降低当视野中出现1?2对条畴时的偏场数值就是形核场，记为Hy 形核场 下的成对出现的条畴图示如下： 形核场的一对条畴 形核场的一对条畴 图5形核场下的成对的条畴出现 切泡场Hb 一般选在- 0.32)) kA/m左右。 磁滞现彖。将降至0,然后再缓慢增加，测出剩下1?2对条畴时的H〃值并与H帖 进行比较，可以看到，尽管从两种途径得到的磁化强度相同(磁畴基本相同)，但对应的磁场却明显不 同，这就是磁滞现彖，参见图6。 40 q-200 -100 6 100 200 40 q -200 -100 6 100 200 PqH /mT 图6 与比较示意图 成泡场片。把直流偏场从饱和磁化降至切泡场H〃，脉冲幅度调至适当大小，将脉冲电路通 断一次，使大部分条畴变为段畴。加大直流偏场，段畴逐渐缩短，当绝大部分变为泡畴(剩旷5个段 畴)时，相应的直流偏场数值为成泡场H o 直流偏磁场在Hb加脉冲偏磁场直流偏磁场Hb 直流偏磁场 在Hb