模拟电路课后第四章答案.docxVIP

第四章习题解答 4-1如题4-1图所示MOSFET转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型, 开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：(a) P-EMOSFET,开启电压K；s(//J)= -2V P-DMOSFET,夹断电VGS(Off}(或统称为开启电压VgsW) = 2V P-EMOSFET,开启电压= -4V N-DMOSFET,夹断电压％⑷)(或也称为开启电压VC5(//,)) = -4V 4-2 4个FET的转移特性分别如题4?2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。设漏极电流i° 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET?分别指出iD的实际方向 是流进述是流出？ 答：(a) P-JFET, iD的实际方向为从漏极流出。 (b) N-DMOSFET, 匚的实际方向为从漏极流进。 (c) P-DMOSFET, iD的实际方向为从漏极流出。 (d) N-EMOSFET, 匚的实际方向为从漏极流进。 4-3 已知 N 沟道 EMOSFET U nCox=100 P A/V2, VGS(th尸0.8V, W/L=10,求下 列情况下的漏极电流： Vgs=5V, Vds=1V； (b) VGS=2V, VDS=1.2V； (c) Vgs=5V, Vds=0.2V； (d) VGs=VDS=5Vo 解：己知 N?EMOSFET 的jUtlC()x = 100juA/V\ VG5(z//) = 0.8V % = 10 (a)当 二IV时，MOSFET处于非饱和状态 /严瞬^2(咯-％ 伽)必-0』=护0」哆 xl0[2(5-0.8)xl-l2]=3.7mA 当时,VGS-VGS(lh) = 1.2V=VDSf MOSFET 处于 临界饱和 Id =也G ?俘)(％ -%)y=lxO.l%xlOx(2-O.8)2= 0.72曲 当= 5V,VD5 = 0.2V 时,VGS -%沏)=4.2V VDS , MOSFET 处于 非饱和状态 0.82mAIdWG - K - Vjs ] = | x 0.1 ^%2 x 10[2(5 - 0.8)x 0.2 - 0.22 ] 0.82mA 当 ％s=%s=5V 时，VDS^S-VGSW，MOSFET 处于饱和状态 G = *“”：?(*)(% - %(〃J T x 0.1，% x 10 x(5 - 0.8* 8.82mA 4-4 N 沟道 EMOSFET 的 VGs(th)=lV, unC0X (W/L) =0.05mA/V2, VGS=3Vo 求 Vds分别为IV和4V时的Id。 解：(1)当 Vm. = IV 时，由于 VC5-VC5W=3V-1V = 2V 即％ VGS -VG5(///), N-EMOSFET工作于非饱和区 /厂-匕劲)此-Vl = ix0.05^%2[2(3-l)xl-l2] =0.75mA (2)当 ％s=4V 时，由于 VdsVgs_Vgs?) N-EMOSFET I作于饱和区 /厂酗口伴眈厂陀劲))2 =井0.05，%(3-厅 =OAmA 4-5 EMOSFET的Va=50V,求EMOSFET工作在1mA和lOinA时的输出电阻为 多少？每种情况下，当变化10% (即AVds/Vds=10%)时，漏极电流变 化(AID/ID)为多少？ 解：(1)当 ID = \mA , = 50V 时 防仔二张= 50KQ 当 ID=\0mA9 VA = 50V 时 沖二舲= 沖二舲= 5KQ ID }0niA (2)当％s变化10%时，即叢= 10% 由于乙二叫_ %AVnc 1/? M 由于乙 二叫 _ % AVnc 1/ ? M - vds %s _ I。％% _ %烁 =器?％=0?2%乙(对二种情 况都一样) 或者：由于gDS=^ Md = g°s ?△% =考? % 件?/厂 0.2%% ? Id ???警=0?2% 4-6 一个增强型 PM0SFET 的 upC0X (W/L) =80 u A/V2, VGS(th)=-1.5V,入=一 0.02V1,栅极接地，源极接+5V,求下列情况下的漏极电流。 Vd=+4V； (b) Vd=+1.5V； (c) Vd=0V； (d) VD=-5V； 解：IKiS? VG5 =Vg-Vs=0-5V = -5V VGS{th} = -1.5V , P-EMOSFET 导通 伴)=80%2 = 0.08% M = -0.02V- 当时，由于此时Vgd=Vg-Vd=0V-4V = -4V P-EMOSFET处于非饱和状态 =协￡加(￥)2(% (曲)血=*xO.O8%[2(-5 + 1.5X-1)-(-1)2] =0.24mA 当 ％=+1时，此时％=0V-1.5V = -1.5V = %