团簇VBP电子自旋密度的研究-北京化工大学.PDF

第45卷 第3期 北京化工大学学报(自然科学版) Vol.45,No.3 2018年 Journal of Beijing University of Chemical Technology (Natural Science) 2018 团簇V BP 电子自旋密度的研究 3 * 崔远东摇 方志刚 摇 赵振宁摇 刘摇 琪摇 韩建铭 (辽宁科技大学 化学工程学院,鞍山摇 114051) 摘摇 要:基于密度泛函理论,对B3LYP/ Lanl2dz赝势基组水平的V BP 的11种优化构型通过分析其电子自旋密度 3 (4) 分布进行稳定性的研究。 结果表明:团簇V BP最稳定构型1 外围电子自旋密度分布均匀,对称性好;内部原子 3 (2) 间成键强弱均匀,对称性好;最不稳定构型8 外围琢 电子和 茁 电子交替分布且分布不均匀,对称性差且极不规 整;内部原子间成键强度各不相同,同一类型键原子间成键强弱也不均匀;团簇V BP各优化构型的外围电子分布 3 (4) (2) (2) (2) 由琢 电子和茁电子共同组成,且琢 电子所占比例较大;构型2 、1 、4 、8 内部原子间成键后均为茁电子过剩, 其余构型内部原子间成键后均为琢 电子过剩。 关键词:团簇V BP;稳定性;密度泛函理论; 自旋密度分布 3 中图分类号:O641郾121摇 摇 DOI:10.13543/ j.bhxbzr.2018.03.003 衡状态,此外基底材料对VB 生长膜的相组成和结 引摇 言 2 构没有影响。 二元体系V-B化物在开发新型高效 过渡金属原子簇由于其独特的微观结构和物理 电池的应用中也发挥了重要的作用[14-15]。 徐诗浩 [1] [2] [3] 等[16-17]对V B 过渡金属钒硼化物团簇的结构、成 化学性质而在催化 、磁学 、光学 、新型材料开 3 2 [4] [18] 发 等领域应用广泛。 在过渡金属原子簇的基础 键和磁学性质进行了研究,Terlan 等 研究了表面 上引入类金属硼而形成过渡金属硼团簇是当前材料 性质对VB 纳米粒子胶体稳定性的影响。 2