工信部版我国igbt器件产业化发展路线图.docVIP

国家科技支撑计划项目《电力电子关键器件及重大装备研制》 我国IGBT器件产业化发展路线图 （工业和信息产业部） 项目名称：电力电子关键器件及重大装备研制 课题名称：新型电力电子器件及电力电子集成技术 子课题名称：我国IGBT器件产业化发展路线图 课题编号：2007BAA12B01 课题承担单位：西安电力电子技术研究所 子课题承担单位：南京审计学院 子课题参加单位：江苏宏微科技有限公司 西安交通大学 西安理工大学 2010年3月  目 录 前言 2．我国IGBT产业化路线图的综述与背景 2．1目标和定位 2．2 路线图的范围 2．3 制定路线图的主要方法和技术路线 我国IGBT产业化现状和面临的形势 3．1 发展状况 3．1．1我国IGBT产业化的重大战略意义 3．1．2我国IGBT的历史经验 3．1．3发展现状 3．2 存在问题 3．3 形势和任务 3．3．1技术发展趋势 3．3．2 市场需求分析 3．3．3 产业发展面临的环境 4．指导思想、发展原则和目标 4．1 指导思想 4．2 发展原则 4．3 发展目标 5 . 总体布局和重点领域 5 . 1 总体布局和战略重点 5．2 重点领域和优先主题 5．2．1 IGBT芯片和模块创新:思路和优先主题 5．2．2 IGBT应用技术创新:思路和优先主题 5．2．3 IGBT产业化制度环境创新：思路和优先主题 我国IGBT产业化路线图 6．1 产业化准备（2006-2010年） 6．2 向市场过渡（2011-2015年） 6．3 市场扩张阶段（2016-2020年） 6．4 主导国内市场（2021年以后） 保障措施 7．1 加强IGBT产业化的宏观引导 7．2 以实现IGBT产业化为目标加大投入 7．3 充分发挥国内IGBT应用市场对产业化的驱动力 7．4大力推动以“内部一体化和产业联盟”为核心的资源整合 7．5 建立健全产业化金融支持机制 7．6强化自主创新及产业化能力建设 7．7 努力营造IGBT产业化的舆论氛围和社会规范 8 . 附件 8 . 1路线图主要分析方法 8 . 2 IGBT对节能减排的影响估算 8 . 3 IGBT器件市场分析 8. 4 IGBT器件市场的基本周期 8. 5 国内获取IGBT核心技术的主要模式 8. 6“我国IGBT器件产业化发展路线图”课题专家委员会名单 主要参考资料（部分） 图表目录（正在编辑） 1. 前言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管是新型电力半导体器件的平台器件。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率，改善用电质量。我国对高压IGBT的需求巨大，但到目前为止完全依赖进口。因此，我国IGBT产业化十分紧迫。 IGBT产业化是推动我国低碳经济发展的战略突破口，对缓解能源、资源、环境等对经济发展的重大瓶颈制约，加快转变经济增长方式，促进信息化带动工业化，提高国家经济安全，有着纲举目张的重要作用。 为了促进科技部《电力电子关键器件及重大装备研制》项目中《新型电力电子器件及电力电子集成技术》课题成果转化，进一步提高IGBT器件的自主创新能力，加快IGBT产业化进程，《电力电子关键器件及重大装备研制》项目专家组建议提出《我国IGBT器件产业化发展路线图》（以下简称路线图），供国家相关决策部门和投资方参考。 “路线图”根据《国家科技支撑计划》的总体思路和基本原则，在总结过去、把握现在的基础上，围绕我国IGBT器件产业化当前迫切需要回答和解决的重大问题，提出了从2006到2020年期间实现我国IGBT器件产业化的指导思想、发展原则、发展目标、重点领域、行动路线和保障措施。 科技部《电力电子关键器件及重大装备研制》项目专家组为了促进科技部《电力电子关键器件及重大装备研制》项目中《新型电力电子器件及电力电子集成技术》课题成果转化，进一步提高IGBT器件的自主创新能力，加快IGBT产业化进程，建议提出《我国IGBT器件产业化发展路线图》（以下简称路线图），供国家相关决策部门和投资方参考。“路线图”在这个建议的基础上，围绕我国IGBT器件产业化当前迫切需要回答和解决的重大问题，提出了从2006到2020年期间实现我国IGBT器件产业化的指导思想、发展原则、发展目标、重点领域、行动路线和保障措施。 图1： 我国IGBT产业化发展目标 图2：我国IGBT产业化路线图（摘要） 图3