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第 21 卷第 8 期 中国有色金属学报 2011 年 8 月
Vol.21 No.8 The Chinese Journal of Nonferrous Metals Aug. 2011
文章编号：10040609(2011)08191605
制备工艺对 N 型 Bi Te Se 合金热电性能的影响
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尹振忠，朱铁军，沈俊杰，杨胜辉，赵新兵
(浙江大学 材料科学与工程系 硅材料国家重点实验室，杭州 310027)
摘 要：采用缓慢冷却和液氮淬火两种真空熔炼工艺得到 Bi Te Se 合金铸锭，再将铸锭研磨后热压烧结制备 N
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型多晶样品。采用 XRD、FESEM、激光热导仪及电学性能测试仪对样品的物相组成、断面形貌和热电性能进行
分析和研究。结果表明：制备的多晶样品为单相；振动研磨得到的粉末热压后保留大量的微米级(1~5 μm)颗粒。
结合取向因子的计算结果可以推断，样品中无明显的晶粒择优取向；采用液氮淬火制备的样品由于晶粒细化的影
响，其热导率显著降低，热电性能得到改善。在 300~500K温度范围内，液氮淬火试样 BTSRSOMHP 具有最大
的功率因子和最低的晶格热导率；室温至 500 K 范围内，样品的晶格热导率保持在 0.42~0.51 W/(m∙K)之间，在
468 K 时，获得最大 ZT值 0.87。
关键词：Bi Te Se ；液氮淬火；热电性能；热电材料
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中图分类号：TB34 文献标志码：A
Effect of preparationmethods onthermoelectricproperties of
Ntype Bi Te Se bulkalloys
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YIN Zhenzhong, ZHU Tiejun, SHEN Junjie,YANG Shenghui, ZHAO Xinbing
(StateKeyLaboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering,
Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
Abstract: The Bi Te Se polycrystalline samples were prepared by smashing Bi Te Se alloys combined with a
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subsequent hot pressing sintering technique. The thermoelectric properties were measured at 300−500 K. XRD analysis
shows that the single phase
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