4第三章 半导体激光器件.pptVIP

3.2.2 半导体激光器的特性 四、光谱特性 荧光谱 激光谱 几十nm 几nm 3.2.2 半导体激光器的特性 五、转换效率 注入式半导体激光器是一种把电功率直接转换为光功率的器件，转换效率极高。转换效率通常用量子效率和功率效率量度。 1.量子效率 通常PPth 实际上量子效率对应于输出功率于正向电流关系曲线中阈值以上线性范围内的斜率。 3.2.2 半导体激光器的特性 五、转换效率 2.功率效率 V是PN结上的电压降，Rs是激光器串联电阻（包括材料电阻和接触电阻）。 由于激光器的工作电流较大，电阻功耗很大，所以在室温下的功率效率只有百分之几。 第三节 典型的半导体激光器 同质结激光器 异质结激光器 分布反馈（DFB）激光器 垂直腔面发射半导体激光器 3.3.1 同貭结半导体激光器 p型半导体和n型半导体材料都是GaAs,所形成的p-n结为同质结(HOS) 加上正向偏压时，电子向p-n结注入，并在偏向p区一侧的激活区内复合辐射; 当正向偏压较大时，考虑到空穴注入，激活区变宽。 激活区的折射率略高于p区和n区，“光波导效应”不明显，光波在激活区内传播时，有严重的衍射损失。 同质结半导体激光器的阐值电流密度很高，达3x104～5 ?104 A/cm2，这样高的电流密度，将使器件发热。 3.3.1 同貭结半导体激光器 同质结半导体激光器难于在室温下连续工作，而只能低重复率（几kHz～几十kHz)脉冲工作。 同质结激光器几乎无法实用化，结构需改进！ 3.3.2 异质结半导体激光器 一、单异质结半导体激光器(SHL） 单异质结是由p-GaAs与p-GaAlAs形成的。 施加正向偏压时，电子由n区注入p-GaAS,由于异质结高势垒的限制，激活区厚度d?2? m； 因p-GaAlAs折射率小，“光波导效应”显著，将光波传输限制在激活区内。阈值电流密度降低了1～2个数量级，约8000A/cm2。 窄带隙有源材料被夹在宽带隙的材料之间形成 3.3.2 异质结半导体激光器 一、双异质结半导体激光器(DHL） 施加正向偏压时, 激活区内注入的电子和空穴，由于两侧高势垒的限制，深度剧增，激活区厚度变窄，d=0.5?m。 由于激活区两侧折射率差都很大，“光波导效应作非常显著，使光波传输损耗大大减小。阈值电流密度更低，可降到(102一103) A/cm2。 当采用GaAs和GaAlAs量子阱材料制作激光器时，阈值电流密度下降到几A/cm2。目前，这种激光器已成为极为重要的、实用化的相干光源。 正向偏置时双异质结与同质结载流子分布的对比 * 中间的窄带隙层对载流子形成了很好的限制作用 正向偏置的同质结 正向偏置的双异质结 窄带隙层一般还具有比较高的折射率，光波导效应明显 3.3.3 分布反馈（DFB）激光器 动态单纵模激光器：在高速调制下仍能单纵模工作的半导体激光器。 分布反馈半导体激光器：在异质结激光器具有光放大作用的有源层附近，刻上波纹状的周期光栅构成的。 光栅结构制作在限制层中 DFB激光器与普通激光器的对比 DFB激光器的光谱宽度大约为普通型激光器的1/10左右 色散的影响大为降低，可以实现速率为10Gb/s的超高速传输 3.3.4 垂直腔表面发射半导体激光器 垂直腔面发射激光器（VCSEL：Vertical-cavity surface-emitting laser） 谐振腔的腔镜由折射率不同的物质层交错堆积而成 从垂直于半导体薄片的方向发射激光，使激光束的截面成为圆形，减小了激光束的发散角，克服了原来从半导体侧面发光的缺点。 能够在同一块板上集成一百万只小激光器，其激发电流仅1mA。 表面发射半导体激光器 3.3.4 垂直腔表面发射半导体激光器 与边缘发射半导体激光器阵的差别： 制造方法、临界大小以及光束发射方向和形状。 用集成电路技术，每一个表面发射半导体激光器可以做得很小，最小可到1?m,而每一个边缘发射半导体激光器最小也有50?m. 边缘发射半导体激光器 表面发射半导体激光器 * 固体能带理论解释 * * * 为了在半导体材料中获得充分的光增益，必须采用直接带隙材料，并通过外部激励的方法保持导带中具有一定浓度的电子，同时价带中具有一浓度的空穴，使半导体内的受激辐射几率大于受激吸收几率。这是半导体材料的粒子数反转条件。 为了在半导体材料中获得充分的光增益，必须采用直接带隙材料，并通过外部激励的方法保持导带中具有一定浓度的电子，同时价带中具有一浓度的空穴，使半导体内的受激辐射几率大于受激吸收几率。这是半导体材料的粒子数反转条件。 * * 由于能级越低，电子占据的可能性越大· * 由于能级越低，电子占据的可能性越大· * * 由于能级越低，电子占据的可能