基于TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析探究.pdfVIP

第37卷 第5期 电 子 器 件 Vo1．37 NO．5 2014年 10月 ChineseJoumalofElectronDevices Oct．2014 AnalysisofSingleEventEffectonBufferCELLBasedonTCAD Simulation DUMing，ZOULi，LIXiaohui，QIUHenggong，DENGYuliang (ShenzhenStateMicroelectronicsCo．，Ltd，ShenzhenGuangdong518057，China) Abstract：ForsemiconductordevicesandICs，theessenceofradiationeffectisaseriesofphysicalprocessincluding thegenerationandrecombinationofelectron—holepairs，thetransmissionandcollectionofcharge，theinterfacestate andaccumulationofoxidetrappedcharge．Severalfactorsmightaffectthephysicalprocess，suchasthesizeofthe pull—upcompensatingMOSFET，theincidenceangleoftheheavyion，thesubstrateconcentrationofthedevice．This papersimulateshow thesekeyvariablesinfluenceon thesingleeventeffectoftheBuffercellusingmixed—mode TCAD simulations．Finallytheexperimentresultapproachtotherealscene． Keywords：mixed—mode；TCAD；Buffer；singleeventeffect；pull—upcompensating EEACC：0590 doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2014．05．002 基于 TCAD模拟的Buffer单粒子效应解析分析 杜 明，邹 黎 ，李晓辉，邱恒功，邓玉 良 (深圳市国微 电子有限公司，广东 深圳 518057) 摘 要：半导体器件和集成电路的辐射效应，其本质就是电子空穴对的产生和复合、电荷的传输与收集、界面态和氧化层陷 阱电荷积累等一系列的物理过程。这些物理过程会受到各种因素的影响，例如上拉补偿管的尺寸、重离子入射角度、器件的 外延层浓度等。使用 TCAD器件／电路混合模式仿真了以上这些关键变量，同时分析了以上效应对对 Buffer电路单粒子效应 的影响。最终实验结果证明该模拟方法接近于真实情景。 关键词 ：混合模拟；TCAD；单粒子效应；缓冲；上拉补偿 中图分类号：0472．8 文献标识码 ：A 文章编号：1005—9490(2014)05-0808-04 近年来，随着单粒子效应对航空航天器的安全运 1 重离子物理模型 行造成的危害 日益突出和严重，国内外利用空间搭载 和辐照实验等对器件和整机进行了各种试验¨。利 在TCAD的器件仿真器SDEVICE中，重离子入 用空间搭载或辐照实验来获取器件在真正空间应用 射后，跟电流连续性方程所对应的过剩载流子产生 时可能发生故障的几率的代价是非常昂贵的，不仅影 率定义为 ： 响到实验时间、费用和人力的大量消耗，而且实验过 G= (R(W)L(，) 程不易调整和反复移植。TCAD仿真工具可以精确 式中，(W)和 (．厂)分别为描述重离子产生的电子 预测辐照环境下的器件陛能，评价器件和电路的抗单 空穴对的空间分布和时间分布 J，(，)是入射离