模拟电子技术试卷3答案.doc

PAGE PAGE １ 摸拟电子技术试卷3答案 一、单选题(每题1分) 1.C 2.C 3.A 4.C 5.C 6.C 7.B 8.D 9.D 10.C 11.A 12.B 13.A 14.A 15.C 16.B 17.A 18.C 19.C 20.B 二、判断题(每题1分) 1.错误 2.错误 3.正确 4.错误 5.错误 6.错误 7.错误 8.正确 9.正确 10.错误 三、填空题(每题1分) 1. 提高 2. 下限、上限、通频带 3. 电击穿、热击穿 4. 正向、反向 5. 500、220 6. 92、0.989 7. 正向电流、反向电流 8. 小、大 9. 电压串联、∞、11、11、1、14、14、1 10. 60dB 四、计算分析题(每题8分) 1. 图（a）为P沟道耗尽型MOS管，其电路符号如下图（a）所示。UGS（off）=2V，IDSS=2mA。 图（b）为N沟道增强型NMOS管，其电路符号如下图（b）所示。UGS(th)=1V。 2. （a）通过R2、R3引入电压串联负反馈。 （b）通过R4、R3引入了电流并联负反馈。 3. 计算的最后结果数字： 4. （1） （2）