2011_第四章_常用传感器原理及应用.ppt

关于施密特触发器 门电路组成的施密特触发器 CCD光敏元显微照片 彩色CCD显微照片（放大7000倍） 200万和1600万像素的面阵CCD 数码相机的结构解剖（索尼F828） ★暗电阻：无光照时的阻值，一般为兆欧量级。亮电阻：受光照时的阻值，一般为千欧以下。 ★光敏电阻响应时间一般为2～50ms ★光谱特性：可见光——硫化镉(CdS)，硒化镉(CdSe)；紫外光——氧化锌(ZnO)，硫化锌(ZnS)；红外光——硫化铅(PbS)，硒化铅(PbSe)。 ★非线性光照特性： 不适宜做检测光通量变化的元件，常用作开关式光电传感器。 二、光电池（基于光生伏特效应的光电元） ★ PN结的形成：在本征半导体中，掺以不同的杂质，使其一边成为Ｐ型，另一边成为Ｎ型，在Ｐ区和Ｎ区的交界面处就形成一个ＰＮ结。 扩散运动：由于载流子浓度差，Ｐ型区的空穴(多子)向Ｎ型区扩散，与N区的自由电子复合；Ｎ型区的电子(多子)向Ｐ型区扩散，与P区的空穴复合。扩散运动使Ｐ区失去空穴，留下负离子，Ｎ区失去电子，留下正离子，形成一个很薄的空间电荷区(ＰＮ结)。在这个区域内，多数载流子或已扩散到对方，或被对方扩散来的多数载流子(到了本区域后即成为少数载流子了)复合掉，即多数载流子被消耗尽了，故又称此区域为耗尽层，其电阻率很高，为高电阻区。 漂移运动：耗尽层形成的内电场将使N区