介质阻挡放电等离子体沉积氟碳薄膜研究.ppt

* * 介质阻挡放电等离子体沉积氟碳薄膜研究 摘要: 在低气压下介质阻挡放电（DBD）等离子体中，C4F8作为源气体，在Si基底上沉积出表面致密，憎水性良好的FC薄膜。根据原子力显微镜（AFM） 的检测结果，随着电源放电频率的升高，FC薄膜的表面粗糙度随之升高；但随沉积气压的升高，FC薄膜的表面粗糙度明显下降。X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱( FTIR)的分析结果都表明，FC薄膜中主要的组分为CF3，CF2，-CF-CF，-CF-C，C-CFx和C-H，并且随着沉积气压的升高，薄膜中CF2官能团有了明显增加，而交联结构随之减少，但电源放电频率的改变对薄膜成分影响很小。静态接触角测量结果表明，在低气压下，采用DBD等离子体制备的FC薄膜均具有良好的憎水性，改变电源放电频率及沉积气压对所制备的FC膜的憎水性能影响较小。但放电频率对薄膜沉积速率有较明显的影响，随着放电频率的增加，薄膜的沉积速率显著提高。 利用大气压介质阻挡放电法沉积FC薄膜，且SEM结果显示在C4F8含量的较小时，沉积的FC薄膜较均匀，质量较高。XPS分析表明C4F8含量的增大促进了薄膜中交联结构的产生。 牛金海a，冯志庆a，李伟b ，尹晔珺b ，谷建东b，张莲莲c，刘东平a a．大连民族学院光电子技术研究所，辽宁，大连，116600 b．大连交通大学机械工程学院，辽宁，大连，116028 c. 大连理工大学物理与光电子学院，辽宁，大连，116024 njh@dlnu.edu.cn XPS spectra of FC films deposited at different discharge frequency 图5 不同放电频率下FC薄膜的XPS的C1s谱峰高斯拟合 Fig. 5 High resolution C1s spectra of FC films deposited at (a) f=1 kHz (b) f=3 kHz (c) f=5 kHz (d) f=7 kHz (e) f=9 kHz (p=50Pa and d=10mm) XPS spectra of FC films deposited at different discharge pressure 图3 不同沉积气压下FC薄膜的XPS的C1s谱峰高斯拟合 Fig. 3 High resolution C1s spectra of FC films deposited at (a) P=25Pa, (b) P=75Pa, and (c) P=125Pa (f=1 kHz and d=10mm). 图4 FC薄膜交联结构随放电气压变化曲线图 Fig. 4 Variation of FC films’ crosslinking as a function of the discharge pressure AFM micrograph of FC film surface morphology 图1. FC薄膜RMS粗糙度值随电源频率变化曲线 Fig. 1. Variation of FC film RMS as a function of the frequency of power supply 1 kHz 50 Pa 24 kV 9 kHz 50 Pa 24 kV （b）1×1μm （a）5×5μm 图2. FC薄膜RMS粗糙度值随放电气压变化曲线 Fig. 2. Variation of FC film RMS as a function of the discharge pressure 25Pa 1kHz 24kV 75Pa 1kHz 24kV 125Pa 1kHz 24kV Acknowledgements: The present work is supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No.) 介质阻挡放电等离子体沉积氟碳薄膜研究 图6 不同放电频率下制备的FC薄膜红外吸收谱 Fig. 6 FTIR spectra of FC films deposited at different frequence (p=50Pa and d=10mm) FTIR spectra of FC thin films deposited at different discharge parameters 图7 不同沉积气压下制备的FC薄膜红外吸收谱 Fig. 7 FTIR spectra of FC films deposited at different pressure (f=5kHz and d=10mm)