碳化硅量子点表面物化特性的计算模拟-硅酸盐学报.PDF

第 44 卷第 5 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 44 ，No. 5 2 0 1 6 年 5 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY May ，2016 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.05.17 碳化硅量子点表面物化特性的计算模拟 1 1,2 3 1 2 1 1 朱彦敏 ，宋月鹏 ，孙亚楠 ，韩志高 ，高东升 ，刘自平 ，孙丰飞 (1. 山东农业大学机械与电子工程学院，山东省园艺机械与装备重点实验室，山东 泰安 271018 ； 2. 山东农业大学园艺科学与工程学院，山东 泰安 271018 ；3. 山东交通职业学院中职学院，山东 潍坊 261206) 摘 要：采用化学腐蚀法制备碳化硅(SiC)量子点荧光材料，对其进行 Fourier 变换红外线光谱(FTIR)分析及 X 射线粉末衍射 结构解析，研究了 SiC 量子点的晶体结构，而后基于密度泛函理论的 CASTEP 平面波模守恒赝势对 SiC 量子点表面不同功能 团的吸附机制进行计算模拟，结果表明，SiC 量子点属于面心立方晶系，修正后的点阵参数为：a=b=c=0.434 8 nm ，α=β=γ=90° ， 空间群为F-43m ，晶型为 3C-SiC，每单胞含化学式Z=4 ；Rietveld 精修的 2 个主要可靠因子分别为：Rp=10.82% ，Rwp=14.72% ； -COOH、-OH 功能团能够在 SiC 量子点表面形成稳定的化学键结合，键能分别为 2.65 、5.09 eV，并对吸附后构型的态密度、 电子密度分布及其成键机理进行了分析探讨。 关键词：碳化硅量子点；X 射线粉末衍射；晶体结构；化学吸附 中图分类号：O482 ；O614 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2016)05–0000–07 网络出版时间： 网络出版地址： Computational Simulation on Surface Physicochemical Properties of SiC Quantum Dots 1 1,2 3 1 2 1 1 ZHU Yanmin , SONG Yuepeng , SUN Yanan , HAN Zhigao , GAN Dongsheng , LIU Ziping , SUN Fengfei (1. Mechanical and Electronic Engineering College, Shandong Provincial Key Laboratory of Horticultural Machineries and Equipments, Shandong Agricultural University, Tai’an 271018, China; 2. College of Horticulture Science and Engineering, Shandong Agricultural University; Tai’an 271018, China; 3. Secondary Vocational School, Shandong Transport Vocational School, Wei’fang 261206, China) Ab