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第34卷第1期 电子器件 V01．34No．1
ofElectronDevices
201 ChineseJournal Feb．201l
1年2月
ModelBasedon
S01LDMOSWithstand RESURF
Principle+
MIAO Huang，ZHENGWei，SHENTUXudan，UUJun，SUNLingling
Tianle，口帅8，WANG
CAD Dianzi
Center，Hangzhou
(Microelectronics University，Hangzhou310018，China)
breakdowncharacteristicsofSOI and modelbasedon
the LDMOSdevice awithstand
Abstract：Westudy present
RESURF forthedevice．The ofsurface andfielddistributionandthe
principle analyticalexpressions potential
concentrationofdrift allobtained．Basedontheresearch．weembedthemodelintotheSentaurus
optimal region
TCADsimulation thensimulatethesurfaceelectricfield breakdowncharacteristicand
software，and distribution，the
of showthatthe model can
the1．VcharacteristicSOILDMOSdevice．Thesimulationresults proposedperforms
thedevice．
describe
effectively
words：SOILDMOS；MODEL；RESURF；TCAD
Key
EEACC：2570Kdoi：10．3969／j．issn．1005-9490．2011．01．004
基于RESURF理论的S01LDMOS耐压模型研究术
苗田乐，李文钧‘，王 皇，郑 伟，申屠旭丹，刘 军，孙玲玲
(杭州电子科技大学微电子CAD研究所，杭州310018)
摘 要：对SOl
解析表达式，给出了SOILDMOS器件漂移区的最优浓度，在此基础卜将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件
(SentaurusTCAD)中，并对SOlLDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和，-矿特性进行了仿真，得到的仿真结果验证了模型可
LDMOS器件的耐压。
以精确的表征SOl
关键词：SOlLDMOS；模型；RESURF；TCAD
中图分类号：TN3 文献标识码：A
has used
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