基于N型工艺的基准电压源设计.pdfVIP

第 19卷 第 15期 电子设计工程 2011年 8月 Vo1．19 No．15 ElectronicDesignEngineering Aug．2011 基亏N型工艺的基准电压源设计 李仲秋 (空军航空维修技术学院 湖南 长沙 410014) 摘要：针对传统互补型带隙基准电压源在只有N型有源器件工艺中的局限性，采用运放反馈的闲环控制方法来产生 基准电压．设计 了一种可 以集成于只有 N型有源器件和无源元件工艺中的基准电压源产生电路。为只存在 N型M0S 或者NPN型晶体管、没有P型器件、难 以用传统的带隙电压源结构来产生精确参考 电压的特定工艺，提供 了一种具 有 良好 的电源抑制比特性和有效地补偿 N型器件结压降变化的负温度 系数的基准 电压源电路 ；并提 出了提高反馈 回路稳 定性 的措施 。 关键词 ：基准 电压源 ；N型晶体管；电源抑制比；温度系数 中图分类号：TN431．1 文献标识码 ：A 文章编号：1674—6236(2011)15—0183—03 DesignofbenchmarkvoltagesourcebasedonsingleN-typeprocess LIZhong-qiu (TheAirForceAviationMaintenanceTechnologyInstitute，Changsha410014，China) Abstract：A kindofgeneratingbenchmarkvoltagecircuitisdesignedintegratingwithonlyn—typeactivedeviceandpassive componentsprocessbyusing0p-ampoftheofedbackclosed·loopcontrolmethodtogeneratebenchmarkvoltagebasedon thetraditionalcomplemenatrytypebandgapbenchmrakvoltagesourceinonlyn-typeactivedevicetechnology．Itprovidesa goodpowersupplyrejectionratiocharacteristicsandhtebenchmarkvoltagesourcecircuitofeffectivelycompensatingthe negativetemperaturecoefficientonn-typedevicepressuredropchangesforonlyexistingn-typeMOSorNPN transistor．no P type device，difficultlyusing conventionalbandgap voltage sourcestructuretoprodutspecific technoloyg ofaccurate referencevoltage，andhtemeasurestoimprovethefeedbackloopstabilityareputforward． Keywords：benchmarkvoltagesource；n-transistor；powersupplyrejectionratio；temperaturecoefficient 由于在集成电路 中很难制造 出具有高精度 的电阻，因而 1 传统的带隙基准电压产生电路的特点及局限性 不能采用普通的电阻分压方法来获取基准电压。但是利用集 成电路具有 良好 图形对称性的特点可 以制造 出具有低温度 在传统的互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺中，一 系数和高电源 电压抑制 比的带隙电压源等基准 电压产生 电 般采用带隙电