基于石墨烯材料的新性能预测-材料物理与化学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 基于石墨烯独特的力、热、光和电性能以及微电子技术的发展需求，石墨烯 有望被应用于微电子领域，成为最具潜力的器件之一。我们基于密度泛函理论的 第一性原理，借助于 Materials Studio 软件，研究了过渡金属(TM=V、Cr、Mn、 Fe、Co 和 Ni)掺杂石墨烯的稀磁特性、石墨烯-碳化硅异质结电磁特性，以及不同 尺寸的石墨烯量子点的光电磁特性，具体分析了它们的能带结构、态密度或电子 自旋密度分布等，得到了以下结论： (1) 不同的过渡金属掺杂体系呈现出不同强弱的磁性，磁矩大小排列为： MnFeVCrNiCo。考虑到过渡金属掺杂石墨烯中，掺杂格点位置和自旋方向 不同，各被分成 5 种不同的情况，除了 Cr 掺杂体系外，在 V、Mn、Fe、Co 和 Ni 掺杂体系中，当两个掺杂原子自旋方向相同时，不管是相同格点掺杂还是相异 格点掺杂，磁矩都较大，特别是 Co 和 Ni 原子掺杂；对于 Cr 掺杂系统，相异格 点掺杂且自旋方向不同的情况下，磁矩最大(7.42376 μB)；相同情况下，这 6 种过 渡金属掺杂，当两个杂质原子的自旋方向相反时，形成能更低，体系更稳定。 (2) 以 Mn 掺杂石墨烯为例具体研究了掺杂浓度、杂质占据格点位置和杂质 原子距离对磁性的影响，结果表明：系统的总磁矩随掺杂浓度增加而变大，在相 同掺杂浓度条件下，掺杂原子取不